激光技术与器件第2章调qq开关.pptx

激光技术与器件Laser Technology and Devices;2;3;4;5;6;7;8;9;10;11;12;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40;41;42;43;44;45;46;47;48;49;50;51;52;53;54;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66;67;68;69;70;71;72;73;74;75;76;77;78;79;80;81;82;83;84;85;86;87;88;89;90;91;92;93;Double Acousto-Optical Q-switch for Improving hold-off of higher gain;The setup of experiment;f=21kHz;98;不同重复频率下平均输出功率Paver与泵浦功率Pin的输入-输出关系，输出耦合透过率为50% ;平均输出功率和脉冲宽度与泵浦功率的关系，重复频率为70kHz，输出耦合率为50% ;;;103;104;105;106;107;108;109;110;111;112;113;114;115;116;优点： 1.简单方便。这种Q开关只要配好溶液放在染料盒内，或做成染料片成品。放谐振腔中即可。而电光调Q中还需要一套电路系统控制Q开关。 2.速度快。染料Q开关属于快开关。一般10nS量级。 3.具有选模的作用。在中心频率附近的模式，增益高，先振荡，消耗；而增益低的模式被抑止（在漂白前）。漂白后，其他模能够振荡。;染料Q开关的特点;119;120;121;2.6.5 二极管泵浦Cr4+:YAG 被动调Q激光器;稳定绿光脉冲波形图;LD端面泵浦Nd:GdVO4/Cr4+:YAG被动调Q 1.06 ?m激光器;输出镜M2为对1.06?m透过率分别为5%、15%、20%和30%的平面镜。实验所用的饱和吸收片为两片初始透过率分别为90%和85%，前后表面镀1.06?m增透膜的Cr4+:YAG晶体。 ;不同输出镜透过率情况下，连续1.06?m激光输出功率与泵浦功率的变化关系;在输出镜透过率为15%条件下，连续和被动调Q1.06?m激光 输出功率随泵浦功率的变化关系 ;与Nd:YAG晶体相比较，正如Nd:YVO4晶体一样，Nd:GdVO4晶体也具有比较大的发射截面和短的荧光寿命。这些特点对于激光晶体在高泵浦功率状态下的能量存储是不利的。因此，图中的单脉冲能量和峰值功率在高泵浦功率状态下有所下降。 ;LD泵浦Nd:GdVO4/GaAs被动调Q1064nm激光器;1996年，半导体材料GaAs被发现具有被动调Q特性，并先后实现了Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:Sr5(PO4)3F以及Yb:YAG 激光器的被动调Q运转。 根据传统固体饱和吸收体的被动调Q机理，GaAs是不能作为1064nm激光的被动调Q元件的。这是由于1064nm激光的光子能量（1.17eV）小于GaAs的能带间隔（1.42eV）。 但是在GaAs的生长过程中，由于碳的化学污染在导带和价带之间产生了深能级EL2和EL2+，在1064nm激光的辐照下，EL2+能级上带正电的粒子吸收光子，并俘获价带上的电子跃迁到中性的EL2能级上，从而在价带上产生空穴；同时，EL2能级上的中性粒子也吸收光子并发射电子到导带，从而跃迁到带正电的EL2+能级上。由于EL2能级的吸收截面（1.0?10-16cm2）大于EL2+能级的吸收截面（2.3?10-17cm2），所以GaAs的吸收跃迁最终导致EL2能级上的粒子全部跃迁到EL2+能级上，吸收趋于饱和。 ;;;在最大泵浦功率为13.9 W时，脉冲宽度为252 ns的单脉冲示波器波形 ;143;144;145;146;147;148;149;150;151