碳化硼涂层的研究进展.docVIP

碳化硼涂层的研究进展 1 引言 碳化硼涂层具有低密度和高硬度，在1100℃时，其硬度甚至超过金刚石和立方氮化硼，而且碳化硼在常温下化学性能稳定，几乎不与酸、碱发生反应。因此，碳化硼作为一种有希望广泛应用于抗摩擦磨损领域的涂层材料，近年来受到国内外一些研究机构的关注。如美国通用汽车公司通过在齿轮表面涂覆碳化硼涂层，减少了齿面磨损、延长了齿轮寿命。A. A. Grossman等利用碳化硼涂层对中子吸收能力强的特性，将碳化硼涂层应用于核工业，取得相当不错的效果。 但是，目前对碳化硼涂层的研究还不够深入。与对其它涂层的研究相比，国外只有少量论文对B4C作为硬涂层进行了探讨，而国内相关的研究成果就更少。本文在目前的研究基础上，综述了碳化硼涂层的有关研究成果，探讨了碳化硼涂层研究的进展和未来发展方向。 2 碳化硼涂层的制备方法 碳化硼涂层存在着晶体和非晶体两种结构，非晶体涂层的硬度低于晶体涂层硬度。制备碳化硼涂层的方法很多，主要有CVD、真空镀膜、可调射频磁溅射、LCVD、微波法、离子溅射等。实际应用中应根据具体要求采用不同的方法制备碳化硼涂层，争取获得最大的效益。 2.1 CVD法制备碳化硼涂层 CVD法是指混和气体与基体的表面在高温下相互作用，使混和气体中的某些成分分解，在基体上形成固态薄膜的方法。用CVD法制备碳化硼时，所用温度一般为1000℃～1600℃，采用的反应气体包括甲烷+BC13、BCl3、,CCl4+BCl3等混合气体。CVD碳化硼涂层具有很好的机械、热力学、电学方面的性能，应用领域广泛，尤其适用于核工业领域。 目前对CVD方法制备碳化硼涂层的理论研究仍然很不深人。例如，为了预测制备过程中的成分、发生的反应，通常采用热力学分析且假定整个过程是一个平衡过程，然而事实并非如此。V.Cholet等的研究成果表明，只有在1800K以上的温度时，碳化硼的沉淀才接近于平衡状态。由于缺乏次化学计量碳化硼热力学数据，CVD的热力学分析一般只能考虑B4C，但Jansson认为只有一个很窄的区域才能获得化学计量的B4C；在V.Cholet的研究中，两种菱形相B13C3是主要产物，伴随着B13C3的还有一些四方形和正交形的相。 2.2 真空镀膜制备碳化硼涂层 碳化硼涂层在高温时易氧化，真空镀膜采用真空的方法防止碳化硼涂层氧化。采用真空镀膜制备碳化硼涂层有很多优点，如不需要很高温度、不使用有害性气体等，这使得该项技术在工业领域的应用很广泛。为改善涂层性能，在涂层的制备过程中，往往施加偏置电压，并预先涂镀中间层。但在真空喷涂时，由于喷涂压力和能量密度低，导致碳化硼涂层致密率降低。 2.3 可调射频磁控溅射制备碳化硼涂层 可调射频磁控溅射方法的主要优点在于通过外部谐振电路控制施加的偏置电压范围很大，控制冲击涂层的粒子能量范围大。可调射频磁控溅射碳化硼涂层微观结构均匀、B4C化学计量含量高，且涂层内部存在适当的压应力，微观硬度高。 偏置电压对可调射频磁控溅射制备碳化硼涂层有很大的影响，不同的基体应该采用不同的偏置电压。如偏置电压为+15V时，在抛光Si极板上的涂层具有很好的持续性，表面光滑，但是在玻璃基体上涂层的附着力则很差。因此，在可调射频磁控溅射制备碳化硼涂层研究中偏置电压的取值是一个相当重要的问题。 2.4 LCVD法制备碳化硼涂层 LCVD与CVD方法的区别在于LCVD法采用激光作为能源。LCVD可以分为两种方式：一种是热解LCVD，即激光加热基体或者气体促进反应的进行，激光通常以垂直的角度冲击基体；另一种方式是光解LCVD，即以激光辐射引起气体的电子刺激，促进涂层的形成，激光与基体保持平行。由于用激光照射混合气体加速了反应气体的分解速度，因此LCVD的制备速度比采用CVD方法时快。 在LCVD中，反应气体的成分是最重要的参数。J.C.Oliveira等发现，当反应气体中C:B的值较高时，在碳化硼中出现不规则的石墨相；当C含量较少时，碳化硼中出现四方型、亚稳态的B25C。 2.5 离子溅射碳化硼涂层 采用离子溅射制备B4C涂层时，影响涂层性能最重要的因素是溅射距离。溅射距离对涂层的成分和微观结构影响很大，B2O3含量随着溅射距离的增大而增大，而涂层致密率随着溅射距离的增大而降低，弹性模量下降。溅射距离增加导致致密率下降有两个原因：一是当粒子处于熔融状态时，伴随B2O3形成的气体被围在基体中形成气孔；二是随着距离的增大，碳化硼涂层温度下降，导致涂层中层与层之间形成松散连接。 2.6 微波法制备碳化硼涂层 用溅射法制备B4C涂层成本较高，而且B4C靶难以工作；传统CVD法制备B4C涂层速度较慢；微波法制备碳化硼的优点在于速度快，用这种技术制备碳化硼涂层时速度可达到0.25μm/h。使用微波法制备的碳化硼涂层属