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- 2021-12-09 发布于湖北
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07_03 半导体中电子的费密统计分布 ;且有;满带中空穴占据的几率 —— 能级不被电子占据的几率;—— 空穴占据状态的能量 E 越低__电子的能量
空穴的能量越高
空穴平均占据数越小__电子占据数越大 ;—— 半导体中的导带能级和满带能级远离费密能量
—— 导带接近于空的___满带接近于充满 ;2 费密能级和载流子浓度 ;导带底附近 —— 能态密度;—— 导带中电子的浓度;令;导带电子浓度;价带空穴浓度;3 杂质激发 ;—— 消去 EF;施主的电离能;温度很低;温度足够高;P 型半导体 —— 受主的能级位置 __ EA 受主浓度 __ NA;足够低的温度下;4 本征激发 ;本征激发 —— 随温度变化更为陡峭
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