介电材料：第三部分 瓷介电容器.pptxVIP

1;概 述;3;4;5;6;7;8;9;10;;12;13;14;经验公式 （1）平板圆片 极板与介质面积重合时 极板＜介质： ;16;17;18;19;20;21;22;23; §1.2.2 电容器的容量温度特性 T变化→ 极板面积（S），介质厚度（d），介质? 都变化 →C随T变化 ;25;26;27;28;29;30;——当施加于电容器的电压高于某一临界值时，在电容器中将可能出现电容量的微小闪烁不定，称～ （一）产生条件——缺一不可！ 1. 极板结构存在着不连续的孤立的导电微粒， 即小岛状缺陷（电极边缘缺陷、电极其他区域缺陷） 2.缺陷区域的电场强度足够高，能够使电子能量普遍大于电子逸出功，从而超越表面势垒而产生场致电子发射现象 ★被复金属层电极类电容器往往同时符合这两个条件;32;33;;35;36;37;§1.3 电容器的绝缘电阻、损耗、耐击穿强度;一、电容器的绝缘电阻 ——加于电容器上的直流电压U与产生的漏导电流之比;二、电容器的时间常数（大容量电容器） ——大容量电容器的绝缘电阻值测定受芯子几何尺寸影响  ——电容器的绝缘电阻与电容量的乘积 ——消除电容器芯子几何尺寸对绝缘电阻值的影响 ; 三、电容器绝缘电阻的外界影响因素;2. 工作电压的影响;§1.3.2 电容器的损耗——电容器在电场作用下，单位时间内因发热而消耗的能量;直流和低频电容器对tgδ要求不高；高频电路对电容器tgδ有较高要求;二、损耗的测量条件 测量低频：1KHZ 电容量＞1μF时，工频 测量高频：1MHZ 电容量＞1000pF时，1KHZ 三、降低tgδ的主要途径 （1）恰当选择介质材料 （2）良好的制造工艺 （3）合理的电容器结构;§1.3.3 电容器的介电强度;一、电容器的电压参数;48;试验电压Ut ——短暂施加的耐压试验电压 （试验场强Et） Ut ≤ Uba / K1 K1确定: 击穿电压分散性曲线+合理的废品率 一般取 K1 ≥2 ● Ut太高，废品率上升、产生隐患，造成经济损失； ● Ut太低，不能剔除次品，保证质量 ;工作电压UW ——在一定条件下电容器可以承受的最大 （工作场强Ew ） 电压，是电容器在一定期限内能可靠工作 的电压，又称额定电压 Uba /Uw ＝K2 Ut /Uw ＝K （不同介质安全系数K取不同值） Ut ＞ Uw; 二、电容器的电击穿;52;53;3. 介质不均匀的影响;复合介质;;57;直流电场 电晕电压、辉光电压 表面飞弧电压 交流电场 ★Δ l ——电容器表面放电路径，thx=f(x)——双曲正切 1.飞弧电压随放电路径先呈一定斜率直线上升，然后趋于饱和呈现极限值 2.周围媒介介电常数的提高，将使Uc、 Uf提高;减少边缘击穿的措施;60;61;62;63;64;65;66;67;第二章 瓷介电容器的封装保护 ——机械强度、防潮、防污染;69;第三章 瓷介电容器的设计计算 一、概述 设计计算的目的和任务： 计算出合理的尺寸，以保证在最低成本下获得所需电性能 既要考虑成本，又要保证电容器的各项性能指标;1.对电性能的要求——介质材料 （1）标称容量及允许偏差； （2）工作电压（额定电压） （3）工作频率 （4）电容器温度系数（或极限温度时允许的容量温度变化百分率） （5）电容器允许的最大介质损耗 （6）最低的绝缘电阻或时间常数（或漏电流极限值） ; 2.对环境条件的要求——结构形式 （1）工作温度范围——发热计算 （2）工作环境的相对湿度——封装形式 （3）工作环境的气压——高压电容器的引出端的放电晕电压 （4）机械强度——引出方式; 二、电容器设计计算的主要过程 1.确定芯子的几何尺寸 2.确定外部保护结构 3.电性能参数核算 4.计算比率特性和用料量 5.热计算 6.可靠性计算 ;三、电容器设计计算实例 低压瓷介电容器的设计计算 （一）选择瓷料 ①按工作频率，分高频、低频两类 ②要求的电容温度系数（或极限温度下的容量变化百分率） ③一般要求：较高的ε、抗电强度、体积电阻率、机械强度； 较低的tgδ、热膨胀系数、成本； 较好的成型和烧成工