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- 2021-12-11 发布于四川
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111288681 A
(43)申请公布日2020. 06. 16
申请号 202010223609.0
申请日 2020.03.26
(71)申请人育云志能源科技(苏州)有限公司
地址215222江苏省苏州市吴江区五方珞
208号(青云志)
(72)发明人沈剑青宋以仁耿靳财 (74)专利代理机构苏州启华专利代理事务所
(普通合伙)32357 代理人徐伟华
(51)lnt.CI.
F25B 27W2006.0D
F25D /9/以20。6.01)
F25D 25如2006.0】)
F25D 25^2(2006.01)
F25D 2夕/微2006.01)
权利要求书1页 说明书5页 附图5页
(54)发明名称
-?种半导体制冷片及保温盆
(57)摘耍
本发明公开了一种半导体制冷片及保温愈, 半导体制冷片包括第一基片、第二基片、多个P型 半导体粒了和多个N型半导体粒T.第-?基片和 第二基片平行排布且具有间隔:第一基片上设有 第一电极,第二基片上设有第二电极:多个P型半 导体粒子和多佃型I?导体粒子交普排布,其中 每个P型半导体粒子的-?端与第?电极相连,另 一端与第二电极相连:每个N型半导体粒子的一 端与第一电极相连,另一端与第二电极相连:沿 平行于第一基片的
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