信息显示技术：第七章 电致发光显示.pptxVIP

; 某些物质加上电压后能将电能直接转换成光能，这种发光现象称为电致发光（Electroluminescent，EL）。LED、OLED、半导体激光器、电致发光板均是广义上的EL。;一、电致发光显示的基本知识;2.电致发光与显示器历史;1968年，Vecht等和Kahng等人发表两篇论文使EL的研究更进一步。是第二代EL开始标志。并通过试验证实了EL用于电视画面显示的可能性。 在此期间，彩电及计算机迅速普及，人们希望在CRT的基础上，开发薄型、轻量、高画面质量、大显示容量的平板型电子显示器。正是在这种背景下，ELD成为热门题目之一，并与LCD，PDP及LED等一起被列入研究开发的重点。;1983年，日本开始薄膜ELD批量生产。目前橙红色发光的ELD可由夏普（日）、Planer System（美）及Lohja（芬兰）（1991年与Planer System合并，组成Planer International）等公司供应。;3.电致发光显示器的分类与特点;电致发光按激发过程不同可分为三大类：;特点：;EL的分类 EL从结构上分分散型和薄膜型，从驱动方式上分交流驱动型和直流驱动型。因此可以组合出四种EL元件类型。其中已经达到实用化的有薄膜型交流EL和分散型交流EL。;分散型交流电致发光;稳定性差、寿命短！;分散型直流电致发光;优点：显示外观好；结构、工艺、设备简单，成本低；发光效率高；可以有灰度；可大面积显示。 缺点：驱动电压高；亮度、寿命受限制；反射率较大；分辨力有限;薄膜型交流电致发光;薄膜型直流电致发光;（1）发光层材料; 另外，发光中心主要采用属于定域能级型的元素，除Mn外，还有Tb，Sm，Tm，Eu，Ce等稀土元素。通过这些元素4f壳层内的跃迁或4f－5d间的跃迁，可获得各种不同的发光色。不过，稀土离子与Mn2+不同，前者的价数及离子半径都与Zn2+有较大差别，若将其以单体的形式添加在Zn膜中，置换Zn的位置，很难做到使其均匀分布。此时需要同时添加电荷补偿离子，或者以中性分子中心的形式来掺杂。在发光中心材料中，多采用氟化物及硫化物作为电荷补偿离子.;以ZnS作为母体的彩色EL元件的发光谱如图所示。图(a)为ZnS：Mn的发光谱，由于Mn2+离子的3d5内壳层电子的d-d禁止跃迁，从而显示出具有宽峰的橙黄色（585nm）谱。这种元件的??度及发光效率，在目前所得到的EL元件中是最好的。其宽峰的长波长一侧含有红色成份，若采用红色彩色滤光片，可获得高辉度的红色发光。;;ZnS:Mn薄膜EL元件发光层的形成技术主要分为： 电子束蒸发（EB） 物理气相沉积（PVD） 多源蒸发（MSD） 溅射镀膜 原子层外延（ALE） 化学气相沉积（CVD） 有机金属化学气相沉积（MOCVD） 氢化物输送减压CVD（HT-CVD） 目前制品化的EL中，多用EB蒸镀和ALE制作;（2）绝缘层材料 EL元件中绝缘膜的主要作用是保护其电气绝缘免受破坏。要求的条件主要包括： 绝缘耐压（使绝缘破坏的电场强度）高， 针孔等缺陷少， Tanδ小， 与发光层等的附着牢固。 若为非晶态时，结构要致密，而且介电常数要大等。 可用于EL的绝缘膜材料分两大类： 非晶态氧化物或氮化物（Y2O3，Al2O3，Ta2O5，SiO2,Si3N4等） 另一类为铁电体（BaTiO3，PbTiO3等） 第一类绝缘破坏的场强高但介电常数低，第二类相反。; 绝缘膜的制作方法随时代不断变化，过去多采用EB蒸发、溅射镀膜等。 EB蒸发：蒸发材料及蒸发源的制作都不难，是制作绝缘膜的主要方法之一。但此法往往造成缺氧，有损于膜层的绝缘特性。 溅射镀膜：采用大面积源，容易大面积成膜。对高熔点镀料也能成膜，特别是能进行反应溅射。这样不仅对氧化物，对氮化物也能成膜。便于连续化生产，是主要成膜方式。 CVD法目前正受到注目。;（3）电极材料 EL元件夹在上下两块电极之间，其中必须有一块透明的。透明电极目前基本上都采用ITO（indium tin oxide）。 但随着EL元件的大型化，透明电极的布线电阻不能忽略，而且从发热、维持驱动波形