温度对 IGBT 器件功耗的影响研究.pdfVIP

第5期 微 处 理 机 No.5 微微微微微微 处处处处处处 理理理理理理 机机机机机机 201720172017201720172017年年年年年年 2017年10月 MICROPROCESSORS Oct. ，2017 温度对IGBT器件功耗的影响研究 王瑞萱 ，吴会利1 2 （1.哈尔滨理工大学，哈尔滨 150080；2.中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032） 摘 要：IGBT是一种综合MOSFET和GTR两种器件优点的功率器件，被广泛应用于电力电子领 域。在对这种电力电子器件的研究中，其功耗特性和功率特性同样重要。首先介绍IGBT器件基本的 结构特点和工作原理，并对IGBT器件的尾流特性及其功耗组成进行分析和概述。同时结合IGBT 的 热阻模型，确定温度公式与功耗的关系,在保证其他电学参数相同的情况下, 通过使用专门软件对实 际情况下IGBT器件的功耗进行模拟仿真，分别在外界环境温度为-55益、25益、125益的条件下研究外 界环境温度对于IGBT功耗特性的影响，并通过控制IGBT器件外壳基板的热阻来降低IGBT器件的 功耗。 关键词：IGBT；尾流特性；功耗分析；功耗计算；热阻模型 DOI：10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.006 中图分类号：TN4 文献标示码：A 文章编号：1002-2279-（2017）05-0020-03 Researchonthe InfluenceofTemperature to PowerDissipationof IGBTDevice 1 2 Wang Ruixuan,Wu Huili 渊1.Harbin UniversityofScience and Technology,Harbin 150080, China曰 2.The 47thResearchInstitute of ChinaElectronics TechnologyGroup Corporation,Shenyang110032,China冤 Abstract院IGBTisapower devicewith the virtue ofMOSFETand GTR,which iswidely used asa common device inPower Electronic Circuit.In research of IGBT device,thefeature of dissipation isas important as power. First of all, this paper introduces the basic structure of IGBT device and how the IGBT device works. Then this paper analyzes and generalizes the tail current characteristic and the composition of IGBT dissipation. Combined with thermal resistance model of IGBT, the relation between temperature fo