IGBT特性参数定义.xlsxVIP

术语 符号 定义与说明 集电极-发射极间电压 Collector-Emitter voltage VCES 在门级-发射极之间处于短路状态时，集电极-发射极间能够时间的最大电压 门级-发射极间电压 Gate-Emitter voltage VGES 在集电极-发射极间处于短路状态时，门级-发射极间能够施加的最大电压（通常±20V max 集电极电流 DC Collector current IC 集电极的电极上容许的最大直流电流 最大集电极电流 repetitive peak collector current ICRM 集电极的电极上容许的最大脉冲电流 集电极-发射极间断路电流 Zero gate voltae collector current 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 反向恢复时间 Reverse recovery time 正向导通电流 DC forward current 最大正向导通电流 repetitive peak forward current 最大损耗 total power dissipation 结温 junction temperature 电流二次方时间积 I2t 正向峰值浪涌电流 IFSM 绝缘强度 Isolation voltage 安装力矩 Screw torque 集成二极管上容许的最大脉冲正向电流 每个IGBT所容许的最大功率损耗 使元件能够连续性工作的最大芯片温度 在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳积分值 在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上商用正弦半波（50、60Hz）的电流最大值 在电极全部处于短路状态时，电极与冷却体的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效值 用特定的螺钉将元件和冷却体（散热器）间夹紧时所用的最大力矩值 用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用的最大力矩值 IF IFRM PTOT TJ I2t IFSM Viso Mouting Terminal 集成二极管上容许的最大直流正向电流 短路电流 Short circuit current ISC IGBT短路时的电流 术语 符号 定义与说明 ICES 门极（下称G）-发射极（下称E）间处于短路的状态时，在集电极（下称C）-E间外加指定的电压时C-E间的漏电流 门极-发射极间的漏电流 Gate-emitter leakage current IGES C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流 门极-发射极间的阈值电压 Gate-emitter threshold voltage VGE（th） 处于指定的C-E间的电流（下称集电极电流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E间的电压（下称VGE）（C-E间有微小电流开始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值的尺度） 集电极-发射极间的饱和电压Collctor-emitter saturation voltage VCE（sat） 在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VCE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要值） 输入电容 Input capacitance Cies C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时 G-E间的电容 输出电容 Output capacitance Coes G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时 C-E间的电容 Cres 在E接地的情况下，G-E间外加指定电压是C-G间的电容 二极管正向电压 Forward on voltage VF 在内置二极管中流过指定的正方向电流（通常为额定电流）时的正方向电压（与VCE（sat））相同，也是计算损耗时的重要值。 开通时间 Turn-on time tdon IGBT开通时，VGE上升到0V后，VCE下降到最大值的10%时为止的时间 上升时间 Raise time tr IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%开始，到VCE下降到最大值的10%为止的时间。 tr（i） IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%开始，到达90%为止的时间。 关断时间 Turn-off time tdoff IGBT关断时，从VGE下降到最大值的90%时开始，到集电极电流在下降电流的切线上下降到10%为止时间 下降时间 Fall time tf IGBT关断时，集电极电流从最大值90%开始，在下降电流的切线上下