FS60N03耐压30V60A电流N沟道.pdfVIP

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2022-01-23 发布于广东
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FS60N03耐压30V60A电流N沟道.pdf

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N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET FS60N03 ● General Description ● Product Summary The FS 60N03 combines advanced trench D MOSFET technology with a low resistance package VDS =30V ID=60A to provide extremely low RDS(ON) .This device is ideal for G RDSON(10V typ) =7.20mΩ load switch and battery protection applications. RDSON(4.5V typ) =11.5mΩ S ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching D D Low Thermal resistance 60N03 60N03 ●Application TFYXAA TFYXAA MB/VGA Vcore SMPS 2nd Synchronous Rectifier D POL application G D S G S BLDC Motor driver TO-251 TO-252 ●Ordering Information: Part NO. FS60N03 Marking 1 60N03:FS60N03 Marking 2 FS:tuofeng; Y:year code; X:Week; AA:device code; MOQ TO-251:50/PCS TO-252:2500/PCS ●Absolute Maximum Ratings （TC =25℃） Parameter