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模拟电子技术期末试卷5答案 模拟电子技术期末试卷5答案 PAGE 模拟电子技术期末试卷5答案 《模拟电子技术》期末考试试卷1 班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___ 题 题 号 得 分 阅 卷 一 二 三 四 五 总分 得分 阅卷 一．填空（25分） （1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 （2）把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 （3）当PN结外加正向电压时，PN结内多子 扩散 形成较大的正向电流。 （4）硅二极管的导通电压值约为 ，锗二极管的导通电压约为 。 （5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。 （6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。 （7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频 特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为