模拟电子技术-(1).docx

模拟电子技术 1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为_________V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_________V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。 [填空题] 空1答案：0.5V 空2答案：0.7V 空3答案：0.1V 空4答案：0.2V 2.二极管的正向电阻_________；反向电阻_________。 [填空题] 空1答案：小 空2答案：大 3.二极管的最主要特性是_________。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流，耗尽层___。 [填空题] 空1答案：单向导电性 空2答案：大于 空3答案：变窄 4.二极管最主要的电特性是_________，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个_________。 [填空题] 空1答案：单向导电性 空2答案：电阻 5.电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为_________电子技术。 [填空题] 空1答案：模拟 6.PN结反向偏置时，PN结的内电场_________。PN具有_________特性。 [填空题] 空1答案：增强 空2答案：单向导电 7.硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为_________伏；其门坎电压Vth约为_________伏。 [填空题] 空1答案：0.7 空2答案：0.5 8.二极管正向偏置时，其正向导通电流由_________载流子的_________运动形成。 [填空题] 空1答案：多数 空2答案：扩散 9.P型半导体的多子为_________、N型半导体的多子为_________、本征半导体的载流子为___。 [填空题] 空1答案：空穴 空2答案：电子 空3答案：电子-空穴对 10.因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为_________半导体和_________半导体两大类。 [填空题] 空1答案：P 空2答案：N 11.二极管的最主要特性是_________，它的两个主要参数是反映正向特性的_________和反映反向特性的___。 [填空题] 空1答案：单向导电性 空2答案：最大整流电流 空3答案：反向击穿电压 12.在常温下，硅二极管的开启电压约为_________V，导通后在较大电流下的正向压降约为_________V。 [填空题] 空1答案：0.7 空2答案：0.5 13.频率响应是指在输入正弦信号的情况下，_________。 [填空题] 空1答案：输出随频率连续变化的稳态响应 14.N型半导体中的多数载流子是_________，少数载流子是_________。 [填空题] 空1答案：电子 空2答案：空穴 15.按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为_____、_____、______三种类型。 [填空题] 空1答案：甲类 空2答案：乙类 空3答案：甲乙类 16.在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 ___电容，影响高频信号放大的是 ___电容。 [填空题] 空1答案：耦合和旁路 空2答案：结 17.在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ___，ICQ ___ ，UCEQ___ 。 [填空题] 空1答案：增大 空2答案：增大 空3答案：减小 18.三极管的三个工作区域是 ___， ___ ，___ 。集成运算放大器是一种采用 ___ 耦合方式的放大电路。 [填空题] 空1答案：截止 空2答案：饱和 空3答案：放大 空4答案：直接 19.某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 ___ 管（材料）， ___型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的___ 。 [填空题] 空1答案：硅 空2答案：NPN 空3答案：a 20.已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为___ dB，总的电压放大倍数为 ___。 [填空题] 空1答案：80 空2答案：10000 21.三极管实现放大作用的外部条件是：___ 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这 ___管（硅、锗），___ 型，集电极管脚是___ 。 [填空题] 空1答案：发射结正偏、集电结反偏 空2答案：硅 空3答案：NPN 空4答案：a 22.三种不同耦合方式的放大电路分别为：___ 、 ___和___，其中___能够放大缓慢变化的信号。 [填空题] 空1答案：电容耦合 空2答案：直接耦合 空3答案：变