xx公司碳化硅项目招商引资报告.docx

报告说明 碳化硅衬底可分为半绝缘型与导电性两种，其中，半绝缘型碳化硅衬底是具有高电阻率（电阻率≥105Ω?cm），半绝缘型衬底加之异质氮化镓外延片可以作为射频器件的材料，主要应用与上述所述场景的5G通讯、国防军工等领域；另一类是低电阻率（电阻率区间为 15~30mΩ?cm）的导电型碳化硅衬底，导电性碳化硅衬底配之碳化硅的同质外延可以用来做功率器件的材料，主要的应用场景为电动汽车、系能源等领域，两者均具备应用场景广泛、波及行业众多、市场范围广阔等特点。 根据谨慎财务估算，项目总投资42531.89万元，其中：建设投资33952.22万元，占项目总投资的79.83%；建设期利息725.08万元，占