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2021/3/8 2021/3/8 4.掺杂工艺简介 中等电流离子注入机的示意图 2021/3/8 谢谢 * * * * * * * * * * * * * * * * * 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 2021/3/8 半导体的n型、p型掺杂 教 师:黄辉 办公室:创新园大厦A1226 2021/3/8 本章内容 * 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 2021/3/8 1.半导体概述 * 根据物体导电能力(电阻率)的不同,物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体应用极为广泛,因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 2021/3/8 1.半导体概述 * 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等,其都是4价元素(外层轨道上的电子通常称为价电子),其原子结构模型和简化模型如图所示。 2021/3/8 1.半导体概述 * 每个原子最外层的价电子,不仅受到自身原子核的束缚,同时还受到相邻原子核的吸引。因此,价电子不仅围绕自身的原子核运动,同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是,两个相邻的原子共有一对共价电子,这一对价电子组成所谓的 。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 2021/3/8 2.本征半导体 * 纯净的、不含其
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