多晶硅企业的工艺流程及主要风险点.ppt

多晶硅企业的工艺流程及主要风险点 一、概述 二、工艺流程 三、生产类设备 四、消防设备 五、主要风险点 概 述（1） 　　多晶硅是以金属硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间环节。多晶硅是半导体硅材料和太阳能电池的基础原料，其用途主要为： 　　1.多晶硅直接制成多晶硅太阳能电池 　　2.多晶硅提炼成单晶硅，制成单晶硅太阳能电池 　　3.多晶硅提炼成单晶硅，切片制成晶圆 概 述（2） 　　目前国际上多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷法 ，其中70％以上采用改良西门子法 。 　　改良西门子法 ：由氯氢硅的氢还原反应制得多晶硅产品。 　　硅烷法：以金属硅、四氯化硅和氢气为原料，生产硅烷，硅烷分解得到多晶硅。 　　硅烷法与改良西门子法相比，该工艺对生产的安全性要求和总生产成本均较高，且其技术的改进和提高还在研究中。 　　以下介绍的是改良西门子法。 工艺流程（1） 　 ? （1）H2制备与净化 　　在电解槽内经电解脱盐水制得氢气，电解H2O→H2+O2 （2）HCl合成 　　在氯化氢合成炉内,氢气与氯气的混合气体经燃烧反应生成氯化氢气 体，经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯 氢硅合成工序。H2+Cl2→2HCl （3）SiHCl3合成 　　在SiHCl3合成炉内Si粉与HCI在280～300℃温