2012第二章放大器的基本原理.pptxVIP

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  • 2022-03-09 发布于北京
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;;一、半导体的导电特性 ;1、 本征半导体 (纯净) 特性: 绝对零度无自由电子 常温下有少量电子—空穴对 有导电能力但导电能力差 ;2、参杂半导体 ;P型半导体 : 参有3价元素 少一个电子 载流子主要是空穴。 ;二、 PN结及其单向导电性;1、PN结的形成 扩散 空间电荷区 内部电场Ei ;2、导电性能;外电场与内电场方向相同 空间电荷区变宽 不利于扩散 有利于漂移 漂移电流几乎为零 ——很大的电阻 结论:PN结具有单向导电的特性。;三、晶体二极管及其特性;;1、伏安特性;OD段:加反向电压有极小的反向饱和电流,少子的漂移。 D后段: 反向电压增加到某值时反向电流急剧增加,反向击穿;例题2-1:已知;2、二极管的主要参数 ①????最大整流电流: 长期工作时允许通过的最大正向电流。(热烧) ②? 最大反向电压: 正常工作时不允许超过的反向电压的极限值,最大反向电压一般为击穿电压的一半。 ③反向饱和电流: 加反向电压时,被击穿前电流的最大值。此值越大,二极管的单向导电性能越差。 ④最高工作频率:正常工作的上限频率;;;;; 半导体三极管的型号;二、晶体三极管的放大作用 ;理论解释: ;IB+IC=IE ; IBIC、IE;例:已知;电流放大作用: 较小的ΔIB——较大的ΔIC 电压放大作用:

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