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会计学;;所以;;如果带电粒子在同时存在电场和磁场的空间运动时,则其所受合力为;9.4.2 带电粒子在匀强磁场中的运动; 回旋半径和回旋频率;(洛伦兹力不做功); 磁聚焦 在均匀磁场中点 A 发射一束初速度相差不大的带电粒子,它们的 与
之间的夹角 不同,但都较小,这些粒子沿半径不同的螺旋线运动,因螺距近似相等,相交于屏上同一点,此现象称为磁聚焦 .;例9.5 测定离子荷质比的仪器称为质谱仪.倍恩勃立奇质谱仪原理如图9.34(a)所示.离子源所产生的带电量为q的离子,经狭缝S1和S2???间的加速电场加速,进入由P1,P2组成的速度选择器.在速度选择器中,电场强度为E,磁感应强度为B′.E,B′方向如图9.34(b).从S0射出的离子垂直射入一磁感应强度为B的均匀磁场中.离子进入这一磁场后因受洛仑兹力而作匀速圆周运动.不同质量的离子打在底片的不同位置上,形成按离子质量排列的线系.若底片上线系有三条,该元素有几种同位素?设d1,d2,d3是底片上1,2,3三个位置与速度选择器轴线间的距离,该元素的三种同位素的质量m1,m2,m3各为多少?;解 如图9.34(b)所示,在速度选择器中,带电量为q的离子受电场力fe=qE,同时受磁场力fm=qvB′,两力方向相反.只有当离子的速度满足;时离子才有可能穿过P1和P2两板间的狭缝,而从S0射出.;将 分别代入,得;1、霍耳效应 ;①?式中RH 称作霍耳系数;如果导体板的宽度为b,当导体上、下两表面间的电势差为UM-UN时,带电粒子所受的电场力大小为;设导体内载流子数密度为n,于是I=nqvbd,以此代入上式可得;①?说明RH与载流子浓度n成反比:
在金属导体中,载流子浓度很高,故RH↓,UH↓
在半导体中载流子浓度较低, RH↑,UH↑ ;②?? 利用霍耳系数的正、负可判断半导体的类型。
若RH>0 ,为P型半导体
若RH<0 ,为n 型半导体。;例9.6 有一宽为0.50 cm,厚为0.10 mm的薄片银导线,当片中通以2A电流,且有0.8T的磁场垂直薄片时,试求产生的霍耳电势差为多大?(银密度为10.5 g/cm3);由式(9.44)可求出霍耳电势差;*9.4.4 磁流体发电;*§9-5 回旋加速器 磁聚焦;A、B是置于高度真空室中的两个金属半圆形盒,常称为D形电极.两极之间接上交变电源,则在两D形电极之间的缝隙处,产生一定频率的交变电场.把两个电极放在电磁铁的两个磁极之间,在垂直于电极板平面的方向上有一恒定的均匀磁场作用.盒中心P为带电粒子源.由于金属D形盒的屏蔽作用,盒内无电场.设在某一时刻,缝隙处的电场正好由B指向A,则P处的带电粒子将被加速进入盒A,而进入盒内时仅受均匀磁场作用作匀速圆周运动,其半径为;式中v是粒子进入盒内的速率, 是粒子的荷质比,B是磁感应强度的大小.粒子在一个电极内运动所需时间为τ;如果在粒子被引出前最后一圈的半径为R,按式(9.46)可知,引出粒子的速度大小为;式中m0为粒子的静止质量,c为真空中光速. ;9.5.2 磁聚焦;电子束在P点以与B成θ角的速度v进入磁场,由于限制膜片的作用,使v与B所成的发射角θ很小,所以平行于B的分量v∥和垂直于B的分量v⊥分别为;之后又重新汇聚于同一点P′,P′点成为P点的像.这与透镜将光束聚焦成像的作用十分相似.这就是磁聚焦的基本原理.磁聚焦现象广泛地应用在许多电真空系统中,如电子显微镜就需要用到磁透镜.
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