半导体集成电路复习总结 (1)剖析.docxVIP

PAGE PAGE 1 1、 隐埋层杂质的选择原则； ①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； ②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离； ③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力 因此最理想的隐埋层杂质是砷（As） 2、 外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？ 延层厚度应满足 TepiXjc+Xmc+TBL-up+Tepi-ox 集区扩散结深 Xjc 、集电极耗尽区宽度 Xmc、埋层扩散上推距离 TBL-up 和为外延淀积后各道工序生成的氧化层所消耗的外延层的厚度tepi-ox; 3、 双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？ 七次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻；P 型基区扩散孔光刻；N+发射区扩散孔光刻；引线接触孔光刻；金属化内连线光刻；压焊块光刻； 四次扩散：隐埋层扩散；P 型隔离扩散；P 型基区扩散；N+发射区扩散； 4、 集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？ 在 pn 结隔离工艺中，典型 NPN 集成晶体管的结构是四层三结构，（NPN 管高浓度N 型扩散发射区，NPN 管 P 型扩散基区，n 型外延层（PNP 管集电极），p 型衬底 EB 结 BC 结 CS 结）而分立的是三层二结结构 5、 扩散电阻最小条宽的确定原则；（P58） ①设计规则决定的最小扩散条宽Wmin ②工艺水平和电阻精度要求所决定