电子信息物理学4.pptxVIP

会计学;电子多， 空穴少 空穴多，电子少;扩散与漂移的动态平衡;同质 pn结能带; n区导带电子浓度与p区价带空穴浓度：;n区导带电子电位量：;突变pn结：;整流特性;1.正向电压作用（pn结少子正向注入）;;;复合电流连续性原理;总电流密度：;实际的pn结，正偏Va时，有一定的正向导通电压;2. 反向电压作用（pn结少子反向抽取）;少子浓度很低;电容特性;正向：;击穿特性;2. 雪崩击穿;3. 热电击穿;4.2 pn结二极管;变容二极管;反偏电压V＝－VR;开关二极管;;隧道二极管;;雪崩二极管;高反偏电压;应用： 利用PN结血崩和载流子的度越等效应可以构成微波振荡器件 器件优点：具有较大的输出功率,可以达到数瓦 器件缺点：血崩过程产生较大的噪声;4.3 双极性晶体管;;晶体管的放大作用;晶体管噪声;4.4 金属－半导体接触和肖特基势垒;фm фs;影响其势垒高度的因素 两种材料的功函数， 影响其势垒厚度的因素 材料（杂质浓度等） 外加电压 势垒宽度的表达式为;热平衡态，统一费米能级 半导体能带向上弯曲 表面n型阻挡层 半导体一侧的势垒： eVD＝ фm － фs 金属一侧的势垒（肖特基势垒高度：金属上的电子进入半导体导带所需的能量）;фs фm;表面态和界面层对接触势垒的影响;半导体表面的界面态：;金属与n型半导体接触： n型半导体表面;2.金属－半导体（M-S）接触;真空能级E 0连续（一般性） 电子亲和势始终不变х ＝ E 0 － E C （一般性） 费米能级的“钉扎”效应： n型费米能级：价带以上E g/3（特殊性） p型费米能级：价带以上2E g/3（特殊性） ;肖特基势垒的I-V特性;金属与n型半导体接触 正向偏压产生电流，载流子构成如下 导带电子越过势垒进入金属 导带电子通过隧道效应进入金属（能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒，这种效应就是隧道效应。隧道穿透的几率与电子的能量和势垒厚度有关 ） 空间电荷区与空穴复合 中性区与空穴复合 实际的肖特基二极管主要由第一种电流构成的，其他的三种作为理想情况偏离的修正;（a）无偏压：热平衡时，金属与n型半导体的费米能级拉平;肖特基势垒二极管;肖特基势垒二极管与Pn结二极管的特性差异：;肖特基势垒二极管的主要应用：;欧姆接触 欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。;1. 非整流势垒接触型;金属－p型半导体接触，热平衡时的能带图：;2. 非整流势垒接触型：隧道势垒接触型;由上述可知当金属和半导体接触接触时，如果对半导体的掺杂很高，将会使得势垒区的宽度变得很薄，势垒区近似为透明，当隧道电流占主要地位时，其接触电阻很小，金属与半导体接触近似为欧姆接触。加上正、反向电压时的能带图如下图所示：;4.5场效应晶体管;结型场效应晶体管;栅结反偏VGS﹤0 源极接地VDS=0 栅结反偏 程度增加 两个p+n栅结上的反向偏压增加 耗尽层宽度增加 n 沟道宽度变窄 n 沟道电阻增加 n 沟道导电能力下降;漏极正偏VDS﹥0 电子从源极S沿n沟道流向漏极D，形成漏极电流ID ? 栅结反偏程度 增加 ? 漏极电流ID下降 沿n沟道产生压降 从S到D，p+n栅结的反向偏压增加 ? 从S到D，耗尽层宽度增加 ? 从S到D，n沟道宽度变窄 从S到D，n沟道电阻增加， n沟道导电能力下降 ?;漏极D正偏VDS﹥0 ? 从S到D，n沟道电阻增加，n沟道导电能力下降 ?VDS增加 到VDSO（饱和电压） ? 沟道被夹断（沟道宽度为0） ? VDS继续增加 夹断处从D侧向S侧移动? ? ID随VDS变化缓慢：ID＝IDO ? VDS增加 到VDSa（击穿电压） 击穿：ID随VDS急剧增加;输出特性曲线漏极D正偏VDS﹥0 ?VDS﹤ VDSO ID与VDS接近线性变化 （线性区） VDSO ﹤ VDS﹤VDSa ID基本不变化 （饱和区） VDS﹥Vdsa ID随VDS急剧增加 （雪崩区）;金属－氧化物－半导体场效应晶体管;控制栅的电压与MOSFET的工作;栅极上外加电压VG ?绝缘层隔离 绝缘体电场，没有电流流通 半导体表面空间电荷区 半导体处于热平衡状态 ? EFS不变，金属Efm移动eVG 表面能