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会计学 1 第三章存储系统 3.1 存储系统概述 第1页/共178页 存储器的分类 1. 按存储介质分类 (1) 半导体存储器 (2) 磁表面存储器 (3) 磁芯存储器 (4) 光盘存储器 易失 TTL 、MOS 磁头、载磁体 硬磁材料、环状元件 激光、磁光材料 第2页/共178页 存储器的分类 (1) 存取时间与物理地址无关（随机访问） 顺序存取存储器 磁带 2. 按存取方式分类 (2) 存取时间与物理地址有关（串行访问） 随机存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 直接存取存储器 磁盘 第3页/共178页 存储器的分类 磁盘、磁带、光盘 高速缓冲存储器（Cache） Flash Memory 存 储 器 3. 按在计算机中的作用分类 第4页/共178页 存储系统的层次结构 存储系统 由几个容量、速度和价格各不相同的存储器构成的系统。 目标 容量大 速度快 价格低 第5页/共178页 存储系统的层次结构 高 小 快 第6页/共178页 存储系统的层次结构 CPU 寄存器组 主存 cache 辅存 主机 解决主存速度不足 解决主存容量不足 第7页/共178页 存储系统的层次结构 （速度） （容量） 第8页/共178页 3.2 主存储器 第三章 第9页/共178页 3.2.1 主存储器概述 1. 主存的基本组成 第10页/共178页 3.2.1 主存储器概述 2. 主存和 CPU 的联系 第11页/共178页 3.2.1 主存储器概述 (2) 存储速度 3. 主存的技术指标 (1) 存储容量 (3) 存储器的带宽 主存 存放二进制代码的总位数 读出时间 写入时间 存储器的 访问时间 读周期 写周期 单位时间内存储器存取的信息量 单位: 位/秒 第12页/共178页 3.2.2 半导体存储器存储原理 ㈠ 双极型存储单元与存储原理 第三章 ⒈ TTL型存储单元 第13页/共178页 3.2.2 半导体存储器存储原理 ⒉ TTL型存储器芯片举例 （SN74189） 第三章 16脚双列直插式封装 存储容量16单元×4位 第14页/共178页 3.2.2 半导体存储器存储原理 ㈡ 静态MOS存储单元存储原理 ⒈ 静态MOS存储单元电路 第三章 Vcc Z W ⑴ 组成 触发器 T1、T3：MOS反相器 T2、T4：MOS反相器 T5、T6：控制门管 Z：字线（选择存储单元） W： ⑵ 定义 “0”：T1导通，T2截止； “1”：T1截止，T2导通。 位线（完成读写） 第15页/共178页 3.2.2 半导体存储器存储原理 第三章 ⑶ 工作 Z：加高电平，T5、T6导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加高、低电平，写1/0。 读出：根据W、W上有无电流，读1/0。 ⑷ 保持 Z：加低电平，只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。 第16页/共178页 3.2.2 半导体存储器存储原理 ⒉ 静态MOS存储芯片举例 （Intel 2114） 第三章 地址端： A9～A0（入） 数据端： D3～D0（入/出） 控制端： 片选CS = 0 选中芯片 = 1 未选中芯片 写使能WE = 0 写 = 1 读 电源、地 第17页/共178页 ⒊ 读写时序 读周期 第18页/共178页 写周期 第19页/共178页 动态MOS存储单元与芯片 基本存储原理： 存储信息以电荷形式存于电容上，通常定义电容充电至高电平，为1；放电至低电平，为0。 第三章 第20页/共178页 ⒈ 单管动态存储单元 第三章 ⑴ 组成 C：记忆单元 T：控制门管 Z：字线 W：位线 ⑵ 定义 “0”：C无电荷，电平V0（低） “1”：C有电荷，电平V1（高） 动态MOS存储单元与芯片 第21页/共178页 动态MOS存储单元与芯片 第三章 ⑶ 工作 写入：Z加高电平，T导通。W加高/低电平，写1/0 读出：W预充电，断开充电回路。 Z加高电平，T导通，根据W线电位的变化，读1/0。 ⑷ 保持 Z：加低电平，T截止，该单元未选中，保持原状态 单管单元是破坏性读出，读出后需重写。 第22页/共178页 动态存储器的刷新 刷新 定期向电容补充电荷 刷新原因 电容上存储的电荷会泄露 刷新间隔 2ms 刷新与重写 刷新：非破坏性读出，补充电荷 重写：破坏性读出，恢复原来信息 第三章 第23页/共178页 刷新方式 刷新与行地址有关 “死时间率” 为 128/4 000 ×100% = 3.2% “死区” 为 0.5 s ×128 = 64 s 以128