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等离子体产生技术会计学第1页/共25页等离子体的生成方法直流辉光放电空心阴阴放电直流脉冲放电电弧放电磁控管放电直流放电交流放电电容耦合放电感应耦合放电介质阻挡放电微波放电表面波放电第2页/共25页本讲安排等离子体的生成方法——交流放电 电容耦合放电感应耦合放电 为什么选择交流放电？第3页/共25页直流放电存在的问题电极材料损伤存在电弧放电等离子体密度不易调节工业等离子体应用时等离子体的参数要求温度低密度高覆盖面大为什么选择交流放电？第4页/共25页高频放电或微波放电方法的优点可保持较低的等离子体－电极间电位差有利于提高功率，并提高电子的能量吸收效率使低气压下产生高密度等离子体成为可能第5页/共25页常见的低温等离子体放电装置– 静电耦合主要利用静电场成份来加速电子，又称电容耦合放电– 感应耦合利用感应电场成份，无外加磁场时产生感应耦合放电，有外加磁场时螺旋波放电– 电磁波耦合利用电磁波成份为等离子体提供能量，无外加磁场时耦合方式为表面波放电，有外加磁场时可以产生电子回旋共振(ECR)放电几个相关的概念第6页/共25页低频—— 1000Hz高频—— 10000Hz射频—— 300kHz (30kHz长波300kHz)阻抗——在给定线路参数的无限长传输线路上，行波的电压与电流的比值第7页/共25页阻抗匹配—— 输出、输入阻抗的共轭匹配 输出阻抗：Ro=X+jY 输入阻抗：RI=X-jY 即要求输出、输入阻抗互为共轭复数RoRI第8页/共25页电容耦合等离子体（Capacitively coupled plasma, CCP）CB：直流隔离电容，M.B.(Matching Box)：匹配器典型参数：压强10～1000Pa，电极间距1～5cm，高频功率20～200W，高频频率13.56MHz第9页/共25页自给偏压(Self-bias)第10页/共25页– 由于A电极接地，其有效面积大于K电极，形成非对称放电– 在只有交流电压的K电极上会自动生成负直流电压VDC（即自给偏压）– CB的存在，保证了VDC不为零，VDC0– VK(t)=VDC+VRFsinωt– 实质上是鞘层起到类似二级管的整流作用– 离子响应慢，受平均电位分布作用，在自给偏压作用下撞击K电极高频放电的功率输入机理第11页/共25页外加高频电场对电子的加速作用，电子吸收高频功率有三种机制： 等离子体区域的焦耳加热（α放电，有碰撞） 鞘层内二次电子逸出后被加速（γ放电，无碰撞） 由于鞘层振荡产生的统计加热（费米加速）鞘层厚度由高频电压所决定，若Vrf 一定而改变频率f，则鞘层边界的移动速度跟f成正比。因此统计加热的功率正比于频率的平方，所以在Vrf —定的条件下放电频率越高，等离子体密度就越高；高频放电的优点第12页/共25页–容易产生大口径等离子体；–在加有高频(RF)电压的电极上会产生负直流电压（自给偏压），可加速正离子轰击K电极，也可用于加工工艺；–可通过双高频电源方案同时控制离子轰击能量（自给偏压）和离子通量（等离子体密度）；（一般，放电用高频电压采用较高频率13.56～60MHz，控制自给偏压的电极采用较低频率0.5～2.0MHz）–即使绝缘膜堆积在电极上，也可以稳定地维持等离子体状态介质阻挡放电第13页/共25页金属电极表面伴随二次电子发射同时还有溅射与沉积等作用，使电极损伤高气压放电第14页/共25页大气压下辉光放电的困难辉光放电的实验表明：若保持电流不变，电流密度： 即：电流通道的横截面积将随着气压的增大而急剧减小 大气压下气体间隙击穿时通常看到的是丝状放电（也称流注）及其进一步的发展－－电弧放电。为了在高气压下不产生丝状放电，必须需控制电子雪崩地放大以免它增长过快。实现大气压下辉光放电的可能途径在大气压下放电： a.选择低击穿场强的工作气体如氦气、氩气等 b.采用合适的交流电源，实现离子捕获(ion-trapping)利用外部电路限制电流密度的增长如介质阻挡放电 介质阻挡放电典型结构第15页/共25页第16页/共25页介质阻挡放电的基本特征介质阻挡放电可以用频率从50Hz到MHz级的高电压来启动。在大气压强(105 Pa)下这种气体放电呈现微通道的放电结构，即通过放电间隙的电流由大量快脉冲电流细丝组成。电流细丝在放电空间和时间上都是无规则分布的，这种电流细丝就称为微放电，每个微放电的时间过程都非常短促，寿命不到10ns，而电流密度却可高达0.1到1kA／cm2。圆柱状细丝的半径约为0.1mm。在介质表面上微放电扩散成表面放电，这些表面放电呈明亮的斑点，其线径约几个毫米。第17页/共25页DBD的一些基本原则介质阻挡材料——玻璃、石英、陶瓷以及聚合物等，有时还采用一些具有保护涂层或者其他功能涂层如驻极体材料等。介质阻挡放电驱动电压频率范围为50Hz～10