光生伏特效应及器件.pptVIP

光生伏特效应及器件 光生伏特效应及器件 光生伏特效应及器件 光生伏特效应及器件 光生伏特效应及器件 第二节 光电传感器2 本章学习光电效应、光电元件的结构、工作原理、特性以及光电传感器 光生伏特效应及器件 一 内光电效应及器件 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类： 1 光电导效应及器件 (1)光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 # 光生伏特效应及器件 过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。 导带 价带 禁带 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带 Eg 光生伏特效应及器件 材料的光导性能决定于禁带宽度，对于一种光电导材料，总存在一个照射光波长限λ0，只有波长小于λ0的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃进，从而使光电导体的电导率增加。 式中ν、λ分别为入射光的频率和波长。 为