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[半导体培训资料]8-PN结二极管.pdf

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    第8章pn结二极管 •8 ．1 pn结电流 •8 ．2 pn结的小信号模型 •8 ．3产生．复合电流 •8 ．4结击穿 •*8 ．6隧道二极管 8.1 pn结电流 8.1.1定性描述 8.1 pn结电流 理想电流电压关系 8.1 pn结电流 理想电流电压关系 • 理想假设 • 1、耗尽层突变近似。空间电荷区的边界存在突变，且耗尽区以 外的半导体区域是电中性的。 • 2、载流子统计分布复合麦克斯韦-玻尔兹曼近似。 • 3、复合小注入条件。 • 4(a) 、pn结内的电流值处处相等。 • 4

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