第8章场效应管及其放大电路.pptxVIP

会计学;8.1 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 8.1.1 N沟道增强型MOSFET 8.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 8.1.3 P沟道MOSFET 8.1.4 MOSFET的主要参数;8.1.1 N沟道增强型MOSFET;2.N沟道增强型MOSFET的工作原理; 当vDS＝0且vGS0时，栅极电流为零。;（2）vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响;;vDSvGS-VT时，iD饱和。; 预夹后的漏极电流与栅源电压有关，反映了MOS管的电压控制电流的特性。 ;3.N沟道增强型MOSFET的特性曲线及电流方程;②可变电阻区;③恒流区（也称饱和区）;（2）转移特性曲线 ; 根据半导体物理对场效应管内部载流子的分析，当N沟道增强型MOS管工作在恒流区时，iD的近似表达式为;8.1.2 N沟道耗尽型MOSFET; 当vGS0时，则会使导电沟道变薄，沟道电阻变大，从而使漏极电流iD减小。;2.N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线及电流方程; 例8.1 电路如下图 (b)所示，场效应管的输出特性如下图（a）所示，试分析当vi分别为0V，6V，10V时，vo应为多少？;8.1.3 P沟道MOSFET;8.1.4 MOSFET的主要参数;4）直流输入电阻RGS(DC);2）输出电阻rds ;2）最大耗散功率PDM;8.2 结型场