薄膜淀积与外延技术.ppt

② 影响外延生长速率的因素 A 反应剂的浓度 工业典型条件Y=0.005-0.01 5.4 外延膜沉积技术 第一百二十七页，编辑于星期五：二十点 十分。 ② 影响外延生长速率的因素 B 外延的温度 在实际生产中：外延温度选择在B区原因有二。 a） B区的温度依赖型强； b） 淀积的硅原子也需要足够的能量和迁移能力，高温 5.4 外延膜沉积技术 第一百二十八页，编辑于星期五：二十点 十分。 ② 影响外延生长速率的因素 C 气体流速 由于1200高温下到达衬底表面的不会堆积：因此流速越大，外延层的生长速率越快。 5.4 外延膜沉积技术 第一百二十九页，编辑于星期五：二十点 十分。 ① 系统要求 气密性好； 温度均匀； 气流均匀； 反应剂和掺杂剂的浓度和流量精确可控； 外延前能对衬底做气相抛光； 5.4 外延膜沉积技术 第一百三十页，编辑于星期五：二十点 十分。 （3） 系统及工序 5.4 外延膜沉积技术 第一百三十一页，编辑于星期五：二十点 十分。 分子束外延（MBE) 分子束外延是在超高真空条件下精确控制原材料的中性分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。从本质上讲，分子束外延也属于真空蒸发方法。 5.4 外延膜沉积技术 第一百三十二页，编辑于星期五：二十点 十分。 二、溅射镀膜 溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。 5.3 物理气相沉积 辉光放电 第九十五页，编辑于星期五：二十点 十分。 + + + + + + Al靶 Al膜 溅射沉积薄膜原理 阳 阴 避免金属 原子氧化 真空 Ar气 Ar+ Al膜与硅片之间的结合力比蒸发法要好 Al靶 5.3 物理气相沉积 第九十六页，编辑于星期五：二十点 十分。 溅射过程的物理模型 5.3 物理气相沉积 溅射靶材 第九十七页，编辑于星期五：二十点 十分。 溅射特性参数 （1）溅射阈值：使靶材料原子发生溅射所需的最小入射离子能量，低于该值不能发生溅射。大多数金属该值为10～20eV。 （2）溅射率：正离子轰击靶阴极时平均每个正离子能从靶材中打击出的粒子数，又称溅射产额或溅射系数，S。 S = Ns / Ni Ni-入射到靶表面的粒子数 Ns-从靶表面溅射出来的粒子数 5.3 物理气相沉积 第九十八页，编辑于星期五：二十点 十分。 影响因素 ① 入射离子能量 5.3 物理气相沉积 第九十九页，编辑于星期五：二十点 十分。 ② 靶材种类 ③ 入射离子种类 溅射率与靶材元素在周期表中的位置有关。 一般规律：溅射率随靶材元素的原子序数增大而增大 Cu、Ag、Au 较大 C、Si、Ti、V、Ta、W等 较小 溅射率依赖于入射离子的能量，相对原子质量越大，溅射率越高。 溅射率随原子序数发生周期性变化，每一周期电子壳层填满的元素具有最大的溅射率。 惰性气体的溅射率最高。 5.3 物理气相沉积 第一百页，编辑于星期五：二十点 十分。 ④ 入射角 入射角是入射离子入射方向与被溅射靶材表面法线之间的夹角 ⑤ 溅射温度 ? 靶材 5.3 物理气相沉积 第一百零一页，编辑于星期五：二十点 十分。 （3）溅射出的粒子 从靶材上被溅射下来的物质微粒，主要参数有：粒子状态、粒子能量和速度。 溅射粒子的状态与入射离子的能量有关 溅射粒子的能量与靶材、入射离子的种类和能量以及溅射粒子的方向性有关，其能量可比蒸发原子的能量大1～2个数量级。 （4）溅射粒子的角分布 溅射原子的角度分布符合Knudsen的余弦定律。也与入射原子的方向性、晶体结构等有关。 5.3 物理气相沉积 第一百零二页，编辑于星期五：二十点 十分。 设备简单，操作方便，适合于溅射金属薄膜 但直流溅射中靶材只接收正离子,如果靶材是绝缘材料,阴极表面聚集的大量正离子无法被电子中和使其电位不断上升,阴阳两极电势减小,使溅射不能持续进行. 1、直流溅射 惰性气体 5.3 物理气相沉积 第一百零三页，编辑于星期五：二十点 十分。 与直流溅射相比,溅射电压低,可以溅射绝缘靶材，制备介质薄膜 射频溅射原理:交变电场使得靶材正半周接收电子,负半周接收正离子,相互中和,从而使阴阳两极电位的大小保持稳定,使溅射能够持续进行. 2、射频溅射 惰性气体 5.3 物理气相沉积 第一百零四页，编辑于星期五：二十点 十分。 3、反应溅射 活性气体+惰性气体 可以制备化合物薄膜 5.3 物理气相沉积 第一百零五页，编辑于星期五：二十点 十分。 4、磁控溅射 磁控溅射：使电子的路径不再是直线，而是螺旋线，增加了与气体原子发生碰撞的几率，在同样的电压和气压下可以提高气体电离的效率，提高了沉