电工学第2章 电力电子器件.pptVIP

◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集 成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成 的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 2.4.2 电力晶体管 图2-16 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 +表示高掺杂浓度，-表示低掺杂浓度 2.4.2 电力晶体管 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 图2-16 c) 内部载流子的流动 ?在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为 ?称为GTR的电流放大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ?单管GTR的? 值比处理信息用的小功率晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可以有效地增大电流增益。 (2-9) (2-10) 2.4.2 电力晶体管 ■GTR的基本特性 ◆静态特性 ?在共发射极接法时的典 型输出特性分为截止区、放 大区和饱和区三个区域。 ?在电力电子电路中， GTR工作在开关状态，即工 作在截止区或饱和区。 ?在开关过程中，即在截 止区和饱和区之间过渡时， 一般要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图2-17 共发射极接法时 GTR的输出特性 2.4.2 电力晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 √需要经过延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 √增大基极驱动电流ib的幅值并增大dib/dt，可以缩短延迟时间，同时也可以缩短上升时间，从而加快开通过程。 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 图2-18 GTR的开通和关断过程电流波形 主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。 是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 图2-18 GTR的开通和关断过程电流波形 主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。 是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 ◆动态特性 ?关断过程 √需要经过储存时间ts和下降时 间tf，二者之和为关断时间toff。 √ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分 √减小导通时的饱和深度以减 小储存的载流子，或者增大基极 抽取负电流Ib2的幅值和负偏压， 可以缩短储存时间，从而加快关 断速度。 √减小导通时的饱和深度的负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降UCES增加，从而增大通态损耗 ?GTR的开关时间在几微秒以内， 比晶闸管和GTO都短很多。 2.4.2 电力晶体管 ■GTR的主要参数 ◆直流电流增益hFE ?在直流工作的情况下，集电极电流与基极电流之比 。一般可认为 ? ≈hFE ◆最高工作电压 ?GTR上所加的电压超过规定值时，就会发生击穿。 ?击穿电压不仅和晶体管本身的特性有关，还与外电路的接法有关。 ?发射极开路时集电极和基极间的反向击穿电压BUcbo 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压BUceo 发射极与基极间用电阻联接或短路联接时集电极和发射极间的击穿电压BUcer和BUces 发射结反向偏置时集电极和发射极间的击穿电压BUcex 且存在以下关系： ?实际使用GTR时