GB/T 32816-2016硅基MEMS制造技术　以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范.pdf

ICS 31.200 L 55 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 32816—2016 硅基MEMS 制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范 Silicon-based MEiMS fabrication technology一 Specification for criterion of the combination of the deep etching and bonding process 2016-08-29 发布 2017-03-01 实施 C B /T 32816— 2016 目 次 I 1 范 围 1 2 规范性引用文件1 3 术语和定义 1 4 工艺流程 1 4.1 . 1 4 . 2 硅 片 选 择 1 4 . 3 键 合区 制 备 1 4 . 4 玻璃片金属电极制备 5 4 . 5 硅玻璃阳极键 8 4 . 6 深刻蚀结构释放 9 4.7 知J# 11 5 工艺保障条件要求11 5 . 1 人员要求 11 5.2 环境要求 11 5 . 3 设备要求 12 6 原紂料要求 12 7 安全与环境操作要求 13 7.1 安 4 13 7 . 2 化学试剂 13 7.3 13 8 检 验 13 8.1 棚 13 8 . 2 硅片十法刻蚀结构释放关键T：序检验13 8.3 最终检验 14 G B /T 32816— 2016 前 本标准按照GB/T 1.1 -2009给出的规则起单a 本标准由全W 微机电技术标准化技术委员会CSAC/TC 336)提出并归 本标准主要起苹中位:北京大学、中机生产力促进中心、大连理工大学、北京 i? 鸟元芯微系统科技有 限公司. 本标准主要起草人：张大成、杨芳、李海斌、王玮、何年、黄贤、刘冲、刘伟、邹赫麟、田大宇、荽博岩。 G B /T 32816— 2016 硅 基 M EM S 制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范 1 范围 本标准规定：T采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行M EM S 器件加工时应遵循的工艺要求 和质M 检验要求# 本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质 fi 检验。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件# 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有