半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

（1）Au+： Au0 – e Au+ △E Eg EC EV ED 失去唯一的价电子，产生施主能级ED。 （2） Au一： Au0 + e Au一 △EA1 EC EA EV Au接受一个电子后变成Au-，产生受主能级EA1 （3） Au二：Au一 + e Au二 EC EA2 EA1 EV △E= △E Au接受两个电子后变成Au=，产生受主能级EA2 （4） Au三： Au二 + e Au三 Au接受三个电子后变成Au三，产生受主能级EA3 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.1、杂质的类型 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。 杂质在半导体中的分布状况 （1）替位式杂质 ：杂质原子与被替代的晶格原子的大小比较相近，而且其价电子层结构也比较相近 （2）间隙式杂质：通常这种杂质的原子半径是比较小的 （3）杂质浓度：单位体积中的杂质原子数  举例：Si中掺磷P（Si：P）  2.1.2 施主杂质、施主能级 施主杂质—对半导体材料提供导电电子的杂质,称为施主杂质或者N型杂质 杂质电离—价电子脱离杂质原子成为自由电子的过程称为杂质电离。 2.1.2 施主杂质、施主能级 在Si单晶中，V族施主替位杂质两种荷电状态的价键图（a）电离态（b）中性施主态 杂质电离能：是使被俘获的电子摆脱束缚，从而可以成为导电电子所需的能量△ED=EC-ED △ED=EC-ED EC ED EV 施主能级：将被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级 电子浓度n0空穴浓度p0 2.1.3 受主杂质、受主能级 举例：Si中掺硼B（Si：B） 受主杂质—B在晶体中而产生导电空穴，被称为受主杂质或者P型杂质 杂质电离—受主杂质接受一个电子，在晶体中产生一个空穴的过程，称为杂质电离。 在Si单晶中，Ⅲ族受主替位杂质两种荷电状态的价键图（a）电离态（b）中性受主态 △EA=EA-EV EC EA EV 空穴浓度p0电子浓度n0 受主能级：把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 受主电离能：是使被俘获的空摆脱束缚，从而可以参与传导电流所需的能量△EA=EA-EV 杂 质 半 导 体 1、n 型半导体： 特征： a、施主杂质电离，导带中出现施主提供的电子 b、电子浓度n空穴浓度p 2、p 型半导体： 特征： a、受主杂质电离，价带中出现受主提供的空穴 b、空穴浓度p电子浓度n 杂质能级位于禁带之中 Ec 杂质能级 Ev 上述杂质的特点： 施主电离能△ED《 Eg 受主电离能 △EA《 Eg 浅能级杂质 ·杂质的双重作用： 1、改变半导体的电阻率 2、决定半导体的导电类型 即：杂质在半导体禁带中产生的能级距带边较近 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 （1）用类氢原子模型估算浅能级杂质的电离能 浅能级杂质 = 杂质离子 + 束缚电子（空穴） （2） 氢原子基态电子的电离能 氢原子电子满足： 解得电子能量： 氢原子基态能量： 氢原子的电离能： 故基态电子的电离能： 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 正、负电荷所处介质： 估算结果与实际测 量值有相同数量级 Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV 2.1.5、杂 质 的 补 偿 作 用 1、本征激发与本征半导体 （1）本征激发：在纯净半导体中，载流子的产生必须依靠价带中的电子激发到导带，它的特点是每产生一个导带电子就相应在价带中产生一个空穴，即电子和空穴是成对产生的。这种激发称为本征激发。 即：n0=p0=ni（ ni为本征载流子浓度） （2）本征半导体：不含杂质的半导体就是 本征半导体。 ni= ni（T） 电子浓度 空穴浓度 n0=p0=ni 在室温（RT=300K）下： ni （Ge）≌2.4×1013cm-3