《薄膜材料与薄膜技术》教学配套课件.pptVIP

J.Y. Park et al. / Composites: Part B 37 (2006) 408–412 ZnO 纳米柱制备的场效应管的示意图和实物图 S, D, G 分别为场效应管的源、漏、门电极 由ZnO纳米柱制备场效应管 S D G Si 半导体场效应管及其特性曲线 —— 控制了G电极的电位，即可控制S-D电极间的阻抗和电流 J.Y. Park et al. / Composites: Part B 37 (2006) 408–412 (a)不同门电压下测量得到的Isd–Vsd 曲线 (b)不同源-漏电压降条件下得到的Isd–Vg 曲线 ZnO 纳米柱场效应管的特性曲线 ? ? on/off ratio105 Off ? On ? 例二: FIB- 和EB-CVD方法制备C纳米线 象激光束时一样，离子束（FIB）和电子束（EB）也可被用来辅助实现物质的 CVD 沉积过程 FIB 和 EB-CVD 过程各在 5kV?0.4-1pA 和5kV?160-2000pA，5nm 束斑直径的条件下进行 使用 C14H10 作为沉积碳的源物质，将其采用喷管喂入沉积所需的位置 沉积室压力保持为 1?10-4Pa，沉积时间为 5min FIB-CVD 方法沉积的碳柱体的直径 290nm, 高度 7.96?m; EB-CVD 方法沉积的碳柱体的直径 160nm, 高度 4.15?m