西安交通大学2017年3月课程考试《数字电子技术(高起专)》作业考核试题100分答案.docxVIP

满分： 2 分 西安交通大学 17 年 3 月课程考试《数字电子技术(高起专)》作业考核试题 试卷总分： 100? ? ? ?测试时间： -- 一、单选题(共?30?道试题，共?60?分。) 1. 小容量 RAM 内部存储矩阵的字数与外部地址线数 n 的关系一般为( )。 A. 2n B. 22n C. 22n D. 2n 答案:A 满分： 2 分 2. 欲把 36kHz 的脉冲信号变为 1Hz 的脉冲信号， 若采用 10 进制集成计数器， 则各级的分频 系数为( )。 A. (3,6,10,10,10) B. (4,9,10,10,10) C. (3,12,10,10,10) D. (6,3,10,10,10) 答案:B 满分： 2 分 3. 已知 F=(ABC+CD)，选出下列可以肯定使 F=0 的取值( )。 A. ABC=011 B. BC=11 C. CD=10 D. BCD=111 答案:D 满分： 2 分 4. 若双积分 A/D 转换器第一次积分时间 T 取 20mS 的整倍数，它便具有( )的优点。 A. 较高转换精度 B. 极强抗 50Hz 干扰 C. 较快的转换速度 D. 较高分辨率 答案:B 满分： 2 分 5. TTL 与非门输入短路电流 IIS 的参数规范值是( )。 A. 20 μA B. 40 μA C. 1.6mA D. 16mA 答案:C C. 32 6. TTL 门电路的开门电阻的典型值为( )。 A. 3kΩ B. 2kΩ C. 700Ω D. 300Ω 答案:B 满分： 2 分 7. 555 集成定时器构成的单稳态触发器，其暂态时间tW = ( )。 A. 0.7RC B. RC C. 1.1RC D. 1.4RC 答案:C 满分： 2 分 8. 利用 2 个 74LS38 和个非门，可以扩展得到个( )线译码器。 A. 4-16 B. 3-8 C. 2-4 D. 无法确定。 答案:A 满分： 2 分 9. TTL 与非门高电平输出电流 IOH 的参数规范值是( )。 A. 200 μA B. 400 μA C. 800 μA D. 1000 μA 答案:B 满分： 2 分 10. 555 构成的多谐振荡器中，还可通过改变( )端电压值使振荡周期改变。 A. VCC B. RD C. C-U D. GND 答案:C 满分： 2 分 11. 要扩展成 8K×8 RAM，需用用 512×4 的 RAM ( )片。 A. 8 B. 16 满分： 2 分 D. 64 答案:C 满分： 2 分 12. 在( )端加可变电压，可使 555 多谐振荡器输出调频波。 A. RD B. OUT C. C-U D. GND 答案:C 满分： 2 分 13. (95)H 表示( )。 A. 二进制数 B. 十进制数 C. 八进制数 D. 十六进制数 答案:D 满分： 2 分 14. 2007 个连续异或的结果是( )。 A. 0 B. 1 C. 不唯一 D. 逻辑概念错误 答案:B 满分： 2 分 15. 用 1M×4 的 DRAM 芯片通过( )扩展可以获得 4M×8 的存储器。 A. 复合 B. 字 C. 位 D. 位或字 答案:A 满分： 2 分 16. 维持阻塞型 D 触发器的状态由CP ( )时D 的状态决定。 A. 上升沿 B. 下降沿 C. 高电平 D. 低电平 答案:A B. 103 17. TTL 与非门高电平输入电流 IIH 的参数规范值是( )。 A. 20 μA B. 40 μA C. 1.6mA D. 16mA 答案:B 满分： 2 分 18. 数字电路中，当晶体管的饱和深度变浅时，其工作速度( )。 A. 变低 B. 不变 C. 变高 D. 加倍 答案:C 满分： 2 分 19. 某逻辑电路由一个功能块电路组成，整体电路的逻辑功能与这个功能块原来的逻辑功能 ( ) 。 A. 一定相同 B. 一定不同 C. 不一定相同 D. 无法确定 答案:C 满分： 2 分 20. 用 1M×4 的 DRAM 芯片通过( )扩展可以获得 4M×8 的存储器。 A. 位 B. 字 C. 复合 D. 位或字 答案:C 满分： 2 分 21. 标准 TTL 门关门电平 UoFF 之值为( )。 A. 0.3V B. 0.5V C. 0.8V D. 1.2V 答案:C 满分： 2 分 22. 842BCD 码 0000 表示的十进制数是( )。 A. 131 C. 87 D. 13 答案:C 满分： 2 分 23. 从电路结构上看，时序电路必须含有( )。 A. 门电路 B. 存储电路 C. RC 电路 D. 译码