微电子器件(3-9)课件.pptVIP

2、T 形等效电路 略去 ro 与 C? 2 ， 再改画成共基极形式， 将电流源方向倒过来，并且将 gmVb’e 改写成 gmVeb’ ，得到： * .. . . .. 将 e、c 之间的电流源转换成 e、b’ 之间和 b’ 、c 之间的两个电流源，其中 e、b’ 之间的电流源是电阻 。由于电阻 re 远小于与其并联的电阻 r? ，故 r? 可以略去，得： * .. . . .. 再对 b’、c 之间的电流源 gmVeb ’ 进行转换， 于是得如下共基极 T 形等效电路， * .. . . .. 如果要得到共发射极等效电路，则可将 e 、b 的位置互换，再将 r? 与 C? 合为一个阻抗， 并对电流源 做如下转换： * .. . . .. * .. . . .. 上图同样只适用于 fT 500 MHz 的一般高频管。 即可得共发射极高频小信号 T 形等效电路 * .. . . .. 3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 推导步骤 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ” 关系，两者结合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本节以均匀基区 NPN 管为例。 * .. . . .. （并推广到高频小信号） 先列出一些推导中要用到的关系式： * .. . . .. 3.9.1 小信号的电荷控制模型 ( i ~ q 关系 ) 参考方向：电流均以流入为正，结电压为 vBE 和 vCB 。 基极电流 iB 由以下六部分组成： 晶体管中的各种电荷为 * .. . . .. (2) 由基区注入发射区的少子形成的 ipE ，这些电荷在发射区中与多子相复合，故可表示为 (1) 补充与基区少子复合掉的多子的电流 (4) 当 vCB 变化时，对 CTC 的充电电流 (5) 当 qB 变化时，对 CDE 的充电电流 (6) 当 qE 变化时引起的电流 。这部分电流可以忽略。 (3) 当 vBE 变化时，对 CTE 的充电电流 * .. . . .. 其中基区少子的小信号电荷 qb 又可分为由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引起的 qb ( C ) 两部分。 因此基极电流 iB 可以表为 基极电流的高频小信号分量 ib 也有类似的形式， * .. . . .. 集电极电流的高频小信号分量 ic 由以下三部分组成： (1) 从发射区注入基区的少子，渡越过基区被集电结收集后所形成的 (2) 当 vcb 变化时，对 CTC 的充电电流 (3) 当 vcb 变化时，引起 qb ( C ) 变化时所需的电流 因此 * .. . . ..