第1章 半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD.ppt

第1章可制造性设计工具Sentaurus TCAD ;Sentaurus简介;Sentaurus简介; Sentaurus TCAD的启动;精选ppt;精选ppt;本章内容1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process 2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench简介;本章内容1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process 2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench简介;Sentaurus Process 工艺仿真工具简介 Sentaurus Process是当前最为先进的工艺仿真工具， 它将一维，二维和三维仿真集成于同一平台中，并面向当代 纳米级集成电路工艺制程，全面支持小尺寸效应的仿真与模 拟。Sentaurus Process在保留传统工艺仿真软件运行模式 的基础上，又做了一些重要的改进。 ; 增加了模型参数数据库浏览器（PDB），为用户提供了 修改模型参数和增加模型的方便途径。 增加了一维模拟结果输出工具Inspect和二维、三维模拟结 果输出工具（Tecplot SV）。 增加了小尺寸模型。这些小尺寸模型主要有： 高精度刻蚀模型， 基于Monte Carlo的离子扩散模型， 注入损伤模型， 离子注入校准模型等等。 增加了这些小尺寸模型，提高了工艺软件的仿真精度，适应了半导体工艺发展的需求。;Sentaurus Process 基本命令介绍;(1) 文件说明及控制语句 exit: 用于终止Sentaurus Process的运行。 fbreak: 使仿真进入交互模式。 fcontinue: 重新执行输入文件。 fexec: 执行系统命令文件。 interface: 返回材料的边界位置。 load: 从文件中导入数据信息并插入到当前网格。 logfile: 将注释信息输出到屏幕以及日志文件中。 mater: 返回当前结构中的所有材料列表，或在原列表中增加 新的材料。 mgoals: 使用MGOALS引擎设置网格参数。 ;(2) 器件结构说明语句 init: 设置初始网格和掺杂信息。 region: 指定结构中特定区域的材料。 line: 指定网格线的位置和间距。 grid: 执行网格设置的命令。 substrate_profile: 定义器件衬底的杂质分布。 polygon: 描述多边形结构。 point: 描述器件结构中的一个点。 doping: 定义线性掺杂分布曲线??? profile: 读取数据文件并重建数据区域。 refinebox: 设置局部网格参数，并用MGOALS库进行细化。 bound: 提取材料边界并返回坐标列表。 contact: 设置电极信息。 ;(3) 工艺步骤说明语句 deposit: 用于淀积一个新的层次。 diffuse: 用于高温扩散和高温氧化。 etch: 用于刻蚀。 implant: 实现离子注入。 mask: 用于定义掩膜版。 photo: 淀积光刻胶。 strip: 去除表面的介质层。 stress: 用于计算应力。;(4) 模型和参数说明语句beam: 给出用于离子束刻蚀的模型参数。gas_flow: 设置扩散步骤中的气体氛围。kmc: 设定蒙特卡罗模型。pdbNewMaterial：用于引入新的材料。pdbGet: 用于提取数据库参数。pdbSet: 用于完成数据库参数的修改。SetFastMode: 忽略扩散和模特卡罗注入模型，加快仿真速度。SetTemp: 设置温度。solution: 求解或设置求解参数。strain_profile: 定义因掺杂引入的张力变化。temp_ramp: 定义扩散过程中的温度变化。update_substrate: 设置衬底中的杂质属性，张力，晶格常量等信息。;(5) 输出说明语句 color: 用于设定、填充被仿真的器件结构中某特定区域杂质 浓度等值曲线的颜色。 contour: 用于设置二维浓度剖面等值分布曲线的图形输出。 graphics: 启动或更新Sentaurus Process已经设置的图形输出。 layers: 用于打印器件结构材料的边界数据和相关数据。 print.1d: 沿器件结构的某一维方向打印相关数据。 plot.1d: 沿器件结构的某一维方向输出某些物理