第1章 半导体工艺及器件仿真工具.ppt

第1章可制造性设计工具Sentaurus TCAD Sentaurus简介 Sentaurus TCAD全面继承了Tsuprem4，Medici和ISE- TCAD的特点和优势，它可以用来模拟集成器件的工艺制程，器件物理特性和互连线特性等。 Sentaurus TCAD提供全面的产品套件，其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV，Inspect, Advanced Calibration等等。 Sentaurus简介 Sentaurus Process和Sentaurus Device可以支持的仿真器件类型非常广泛，包括CMOS，功率器件，存储器，图像传感器，太阳能电池，和模拟/射频器件。 Sentaurus TCAD还提供互连建模和参数提取工具，为 优化芯片性能提供关键的寄生参数信息。 Sentaurus TCAD的启动 运行 vncviewer 在xterm中输入： source /opt/demo/sentaurus.env GENESISe 本章内容1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process 2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench简介 本章内容1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process 2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench简介 Sentaurus Process 工艺仿真工具简介 Sentaurus Process是当前最为先进的工艺仿真工具， 它将一维，二维和三维仿真集成于同一平台中，并面向当代 纳米级集成电路工艺制程，全面支持小尺寸效应的仿真与模 拟。Sentaurus Process在保留传统工艺仿真软件运行模式 的基础上，又做了一些重要的改进。 增加了模型参数数据库浏览器（PDB），为用户提供了 修改模型参数和增加模型的方便途径。 增加了一维模拟结果输出工具Inspect和二维、三维模拟结 果输出工具（Tecplot SV）。 增加了小尺寸模型。这些小尺寸模型主要有： 高精度刻蚀模型， 基于Monte Carlo的离子扩散模型， 注入损伤模型， 离子注入校准模型等等。 增加了这些小尺寸模型，提高了工艺软件的仿真精度，适应了半导体工艺发展的需求。 Sentaurus Process 基本命令介绍 用户可以通过输入命令指导Sentaurus Process的执行。 而这些命令可以通过输入命令文件或者用户终端直接输入。 (1) 文件说明及控制语句 exit: 用于终止Sentaurus Process的运行。 fbreak: 使仿真进入交互模式。 fcontinue: 重新执行输入文件。 fexec: 执行系统命令文件。 interface: 返回材料的边界位置。 load: 从文件中导入数据信息并插入到当前网格。 logfile: 将注释信息输出到屏幕以及日志文件中。 mater: 返回当前结构中的所有材料列表，或在原列表中增加 新的材料。 mgoals: 使用MGOALS引擎设置网格参数。 (2) 器件结构说明语句 init: 设置初始网格和掺杂信息。 region: 指定结构中特定区域的材料。 line: 指定网格线的位置和间距。 grid: 执行网格设置的命令。 substrate_profile: 定义器件衬底的杂质分布。 polygon: 描述多边形结构。 point: 描述器件结构中的一个点。 doping: 定义线性掺杂分布曲线。 profile: 读取数据文件并重建数据区域。 refinebox: 设置局部网格参数，并用MGOALS库进行细化。 bound: 提取材料边界并返回坐标列表。 contact: 设置电极信息。 (3) 工艺步骤说明语句 deposit: 用于淀积一个新的层次。 diffuse: 用于高温扩散和高温氧化。 etch: 用于刻蚀。 implant: 实现离子注入。 mask: 用于定义掩膜版。 photo: 淀积光刻胶。 strip: 去除表面的介质层。 stress: 用于计算应力。