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n;Contents;1 .绪论;2.1 TEM样品制样流程■离子减薄
1 .准备;2.1 TEM样品制样流程■离子减薄;2.1 TEM样品制样流程■离子减薄;2.1 TEM样品制样流程■离子减薄 zvxf旧
4.离子减薄穿孔 >处理好的样品放到离子减薄仪(PIPS II 695 )内进行穿孔。;2.1 TEM样品制样流程■离子减薄 zvxf旧
4.离子减薄穿孔;2.1 TEM样品制样流程?离子减薄 旧;2.1 TEM样品制样流程■离子减薄 zvxf旧
5.该方法适用范围
1. 样品薄区大。由于双喷样品无法贴环,只能磨到60卩m左右,导致薄区小。
2. 薄区干净无污染。双喷样品无法完全洗干净电解液,可能会污染薄区。
3. TEM样品保存久。双喷样品残留的电解液会腐蚀样品,离子减薄样品不存在这个问题。
4-样品成功率高。双喷过程收到束流大小,电压,电流,温度,电解液,时间等诸多因素影响,即使有成熟的参数, 双喷制备的样品成功率也仅有20%?30%左右,而且后续仍然需要离子减薄进行薄区精修。
5. 可以制备脆性金属材料TEM样品。脆性材料磨不出完整的<p 3mm薄片,仍然可以制备TEM样品,无需RB。
6. 任意金属材料均可。;2.2 TEM样品制样流程?电解双喷+离多减圍旧;2.2 TEM样品制样流程?电解双喷+离多减圍旧;gr extraction;2.3 TEM样品制样流程?FIB制备样品旧
2. FIB方法制备TEM样品优缺点
优点:
1. 高效。F旧样品一般都有不错的薄区
2. 针对复合材料、膜层等不能够研磨的样品,该方法适用。
缺点:
1. TEM薄区范围小。(5 pm * 6 pm )
2. 如果寻找特定取向的相,需要在切F旧前通过其他手段确定位向关系。
3. 价格昂贵,机时有限。
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