有源钳位电路.pptx

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会计学;有源钳位电路及 include the MOSFET parasitic output capacitance (Coss) and the internal body diode的电路 ;三种复位方式的性能比较;有源钳位的优点及与其它电路的相比较的不同点:;INITIAL CONDITIONS: time tt0: 工作的初始状态:正常的Vout和静态负载条件. 主管关断,DS间为0电压;辅管 关断,DS间电压为Vcr+Vin.此前,能量被贮存在励磁电感和漏感中,此时被作为反向原边电流释放,流动路径为通过变压器由下到上,进入输入电容的正极(Cin),被充电到Vin.这条路径持续流出通过Creset电容的low side,通过其体二极管(DA)到主管.有足够的被贮存的能量持续这种情形甚至超过T0,当主管打开时. 在变压器的付边情形并不是很清楚,因为不清楚变压器漏感及Winding的耦合情况.为简化起见,假定几乎所有的副边(输出)电流通过D2流动,仅仅少量通过D1流动.另外一个假设是原边有足够的能量来克服原副边耦合的影响,实现主管的零电压ZVS,可参考t7-t8分析. 总之,两个开关均处于关断状态,输入到输出没有能量传递.主管处于ZVS状态,由于贮存在电感中的能量正钳位开关,在原边一个反向电流流过,通过辅管的体二极管.;POWER TRANSFER: tOttl : 这一部分与传统的方波功率变换基本一样.从T0开始,主管开通,开始功率传递从原边到副边通过变压器.主管处于ZVS状态,反向的原边电流开始DA(体二极管)流过,钳位主管漏极电位.当主管开通,电流从体二极管向MOS的Channel转移,主管可双向流通.主管电流在副边映射电流(Iout/N)的基础上以Vin/L的斜率上升.变压器的漏感(Llkg)在此分析中被考虑. 于此同时,变压器副边电流也会上升,沿D1流动.此前流过D2的电流下降,与D1电流上升相对应,两者之和为整个的负载电流.此阶段短暂的暂态过程也可以被详细的描述.原边电流是三个分解电流(映射的输出电流;映射回来的电感充电电流;原边的磁化电流). 能量流动很快建立在此阶段.主管保持一定时间的开通以调整输出电压.通过PWM信号来控制.当时间到达t1时,主管关断.一般来说,这一阶段和传统的开关拓扑过程是一样的.;Linear Transition: t1tt2 在t1时刻,主管关断.主管上电流立即从QA转移其输出寄生电容(CA)上,体二极管DA反偏.由于映射过来的整个输出电流(由于较大的Lo在增加)在原边流动,CA充电非常迅速.MOS上电压呈线性上升,QC上电压于此同时线性???降.此过程一直持续到t2当CA被完全充电到Vin.同样,CC上电压同时从初值Vcr下降到(Vcr-Vin).此阶段在变压器初级电压降到0时在t2结束.这一阶段可被看作两个并联的电容(CA CC)被一个恒定的电流源(=Iout/N)激励,直到V(CA)到达Vin结束. 从细节来说,这样的线性近似是不确切的.但是,此阶段非常短暂,这样简化是可以接受的.Here is why.首先,原边电流不是一个常数,它是呈上升趋势的.尽管变压器原边电压是快速从Vin下降到0,其start s out positive并贮存能量在漏感和励磁电感在此过程中.累加这部分在恒定的映射输出电流(由于大的输出电感),其总和使原边电流一直增加.注意两个MOS输出电容(CA CC)的充放电是由于电流从输入端和钳位电容流动.它不是被变压器以前所贮存的电感能量导致.象此后另一个阶段发生的开关回到零电压.其次,假定负载电流仅仅通过D1持续流动在这个阶段.因为变压器电压在t2已突降到0,这个情况可以通过设计,磁的耦合,变压器上漏感的放置来改变. 设计方程推导: 见下页 ;Linear Transition: t1tt2;;;;;;;;第15页/共19页;Pracitcal Design Considerations ** ZVT Limitations: 由谐振电路需要产生的限制.主要的限制在漏感和励磁电感中要贮存足够的能量来克服MOSFET输出电容反向能量需要.用公式表示为: Lmag*Imag2/2+Llkg*Ipri2/2Cr*(Vin+Vcr) 2/2.Cr是整个的谐振电容.;第17页/共19页;第18页/共19页

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