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;第 一 章;1.1 概述
功率电子线路是采用功率电子器件实现能量变换和控制功能的电路。
功率电子线路分为功率放大电路和电源变换电路;
功率放大电路是在输入信号作用下,把直流能量转换成交流输出功率的放大电路;
电源转换电路是把电源能量进行特定方式转换的电路。;1.1.1 功率放大器; 按照功率管不同工作状态,分为甲类,乙类,甲乙类和丙类等。集电极效率甲类最低,丙类最高。;1.1.2 电源变换电路;1.1.3 功率器件;加散热器后的总电阻 Rth= R(th)jc+ R(th)cs+ R(th)sa;二、二次击穿
集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿,只要限制击穿电流,是可逆的。而如果不限制电流,可能出现集电极电压迅速减小,电流急剧增大的现象,这种由高压小电流迅速转移为低压大电流的现象就是二次击穿,而且不可逆。; 双扩散MOS管(Double-diffused MOSFET),它可承受的电流高达数百安,电压高达几百伏,甚至上千伏。;绝缘栅双极型功率管(IGBT)
与双扩散MOS管相比, IGBT仅在高掺杂N+区与金属漏极之间插入一层高掺杂的P+区,与作为MOS管衬底的P+区之间夹着N区,形成两个PN结,构成PNP型晶体三极管,这个晶体三极管与MOS管共同组成组合管。;1.2 功率放大器的电路组成和工作特性;iC = ICQ+ ic = ICQ + Icmsinωt
vCE = VCEQ + vce = VCEQ -Vcm sinωt ;1.2.2 甲类、乙类功率放大器的电路组成
及其功率性能 ;直流负载线是自vCE=VCC出发的垂直线EF
直流负载线与iB=IBQ交点即为静态工作点Q。
;性能分析
iC = ICQ+Icmsinωt
vCE = VCEQ-Vcmsinωt,
Vcm=IcmRL′
输出信号功率:
直流功率: PD= VCCICQ
集电极管耗: PC = = PD-Po
集电极效率:;PD一定时,要使输出信号功率最大,应使Q点正好在有效交流负载线的中点,即 Vcm = VCC-VCE(sat) , Icm = ICQ-ICEO 。
若忽略VCE(sat),ICEO,则有 Vcm=VCC,Icm=ICQ , Pomax=1/2 VCCICQ ,ηcmax =50% 。
当Q点选定后,在充分激励情况下,仅有一个交流负载值,能输出最大信号功率,其交流负载线的中点必定通过Q点。; vCEmax= 2VCCV (BR)CEO VCC V (BR)CEO/2
iCmax = 2ICQI CM ICQ I CM /2
PCmax= PDP CM
还应保证动态点不超过二次击穿限定的安全区。;二、乙类推挽功率放大电路; 两管配对,无信号时,截止,输出为0。加信号vi = Vimsinωt,两管轮流导通。正半周, T1导通, T2截止, iE1= iC1;负半周, T1截止,T2导通, iE2= iC2。负载RL的电流iL = iE1-iE2, 为完整的正弦波。
; 假设T1和T2完全配对,ICEO和VBE(ON)均为零。管子导通时,交流负载为RL ,交流负载线为从电源出发,斜率为-1/RL的直线。管子截止时交流负载线为与横轴重合的水平线。;输入为正弦信号的推挽式乙类功放,在最大不失真条件下两管轮流导通,集电极电流在信号的不同半周为正弦波,另半周为零。
通过负载RL的电流
iL = ic1-ic2= Icmsinωt
相应产生的电压
vL = Vcmsinωt = RLIcmsinωt;负载功率: PL =Po = VcmIcm /2
电源提供的总功率:
PD = PD1+PD2 =2VCCIC0 = 2VCCIcm/π
令电源电压利用系数为:
集电极效率ηC=Po /PD =(π/4)ξ
单管集电极功耗
PC1= PC2=(PD-PL ) /2 =(2ξ/π- /2)Pomax
ξ=2/π≈0.636 PCmax =0.2Pomax ;注意:在乙类推挽功率放大器中,PC的最大值既不出现在ξ=
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