晶体材料基础---第九讲 晶体生长方法(1).ppt

整理ppt 整理ppt 具体工艺： 先将原料加热至熔点后熔化形成熔体，再以单晶的籽晶(Seed Crystal，又称籽晶棒)接触到熔体表面，在籽晶与熔体的固液界面上开始生长与籽晶相同晶体结构的单晶，籽晶以极缓慢的速度往上拉升，但在籽晶往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔体与籽晶界面的凝固速率稳定后，籽晶便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶碇 。 泡生法(Kyropoulos method)原理示意图 整理ppt 泡生法是利用温度控制来生长晶体，它与提拉法相比，泡生法虽然在晶体生长初期存在部分提拉和放肩过程，但在等径生长时，晶身部分是靠着不断降温形成结晶动力来生长，不使用提拉技术，并在拉晶颈的同时，调整加热电压，使熔融的原料达到最合适的长晶温度范围，让生长速度达到最理想化，因而长出质量最理想的蓝宝石单晶。 泡生法生长装置示意图（1.运转的金属杆 2.籽晶杆 3.加热线圈 4.籽晶 5.熔体 6.耐高温材料 7.上保温层） 整理ppt 泡生法生长晶体的一般步骤： 1、前置作业 在实验开始前必须彻底检查炉体内部是否有异物或杂质，因为在晶体生长过程中，炉体内的杂质或异物会因高温而造成晶体受到污染，而影响晶体的质量，因此在实验开始之前，必须将炉体清理干净，降低杂质析出的可能性。 整理ppt