RS Components 其他智能设备晶体管 FGW50N60HD 使用说明.pdfVIP

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2022-05-04 发布于广东
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/products/semiconductor/ FGW50N60HD Discrete IGBT Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 50A Features Low power loss Low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Applications Uninterruptible power supply Power coditionner Power factor correction circuit Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Absolute Maximum Ratings (at TC =25°C unless otherwise specified) Items Symbols Characteristics Units Remarks Collector Collector-Emitter Voltage VCES 600 V Gate-Emitter Voltage VGES ±20 V IC@25 95 A TC =25°C,Tj =150°C DC Collector Current IC@100 50 A TC =100°C,Tj =150°C Pulsed Collector Current ICP 150 A Note *1 Turn-Off Safe Operating Area - 150 A VCE≤600V,Tj ≤175°C Gate IF@25 43 A Diode Forward Current IF@100 25 A Diode Pulsed Current IFP 150 A Note *1 VCC ≤300V,VGE =12V Short Circuit Withstand Time tSC 5 µs