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第2章 晶体结构缺陷
2.1 点缺陷
2.2 线缺陷
2.3 面缺陷
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
2.1 点缺陷
2.1.1 晶体缺陷分类
2.1.2 点缺陷形成反应及热缺陷浓度计算
2.1.3 固溶体
2.1.4 非化学计量化合物
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
1. 高温烧制 TiO 陶瓷电容器时若控制不当易得到灰
2
黑色而非所需要的金黄色TiO ，什么原因？
2
2. ZnO在锌蒸汽中加热颜色会逐渐加深，为什么？
3. 金属，如铜、银、金等具有很好的延展性，而大
多数无机非金属材料不易发生塑性变形而呈脆性，
为什么。
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
非化学计量缺陷
色心 （F-色心，V-色心）
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
3.4 非化学计量化合物
非化学计量化合物：实际化合物中负离子与正离子
的比例不符合定比或倍比定律的化合物。
特点：
1）产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；
2 ）可看作是本身高低氧化态之间的固溶体；
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
3 ）缺陷浓度与温度有关；
4 ）都是半导体。
两大类半导体材料：
Ø掺杂半导体：Si 、Ge中掺杂P为n型半导体；
Si 、Ge中掺杂B为p型半导体
Ø非化学计量化合物半导体
金属离子过剩 （n型）：负离子缺位和间隙正离子
负离子过剩 （p型）：正离子缺位和间隙负离子
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
一、由于负离子缺位，使金属离子过剩
如TiO2-x ， ZrO2-x ，产生原因是环境中缺
氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出
现了氧空位。
第2章 晶体结构缺陷 — 2.1 点缺陷 — 2.1.4 非化学计量化合物
缺陷反应方程式应如下：
1
2TiO － O 2Ti Ti V 3OO
2 2 O
2
1
2TiTi 4O 2Ti Ti V 3O O
O O O 2
2
又∵ TiTi+e TiTi
1
2TiTi O 2TiTi 2eV O
O O 2
2
等价于
1
O 2e V
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