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模拟电子复习资料(10) PAGE PAGE 14 状态是[ D ] 饱和 放大 截止 已损坏 3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 [ C ] A.I=2mA B.I2mA C.I2mA D.不能确定 4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 5、二极管的主要特性是 [ C ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 7、 下列选项中，不属三极管的参数是 [ B ] A.电流放大系数β B.最大整流电流IF C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 9、 在N型半导体中，多数载流子是 [ A ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 二、填空 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。 2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β 增大 ，反向饱和电流ICBO 增大 ，正向结电压UBE 变小 。(a.变大，d.变小，c.不变) 3、在本征半导体中，电子浓度 等于 空穴浓度； 4、在P型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度； 5、在N型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度。 4、二极管的最主要特性是 单向导电性 。 5、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和 PNP 两种类型，它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。 6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。 三、 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示 1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极； （a）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B (b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B 2估算(b)图晶体管的 和 值。 (a) =40 =40/41 (b) =60 =60/61 五、 判断各下图中二极管导通状态，并标出的值。各二极管导通电压0.7V。 左图：D1 D3 D2导通D4截止 =2.1V 右图： D2导通D1截止 =-6V 六、 稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500。试求： 当 当 解：（1）稳压管稳压， （2）稳压管不稳压，工作在反向截止状态， 第二部分 基本放大电路 一、选择题 1、 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 3、 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 [ B ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.