建模仿真连续系统实例timewl.pptxVIP

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会计学 1 建模仿真连续系统实例timewl 2022年5月10日星期二 2 半导体器件建模与仿真 2. 仿真模型的建立 表 1 无量纲化参数 变量进行无量纲化 第1页/共14页 2022年5月10日星期二 3 半导体器件建模与仿真 2. 仿真模型的建立 第2页/共14页 2022年5月10日星期二 4 半导体器件建模与仿真 2. 仿真模型的建立 (有限元方法) 边界条件如下,其中 、 分别为边界的法向量和切向量。 在发射极边界Γs有: 。表示电子密度为C,温度为1 (即300K),相对势能为0。 在集电极边界Γd有: 。Vapp是外部施加的势能。 在栅极边界Γg上有: φbn为Schottky电阻水平,Vg为栅极电势。 在其他绝缘边界有自然边界条件: 第3页/共14页 2022年5月10日星期二 5 半导体器件建模与仿真 2. 仿真模型的建立 (有限元方法) 变量为在t=n,t=n-1和n+1时刻的解。求解这个方程组就可以得到变量的值,根据这些值进行系统的仿真和分析,再进行半导体器件的设计和测试。在非线性方程组中由于含有变量在三个时间层次的值,所以在求解前,必须给出变量在前两个时间的值,即初始条件。 得一非线性方程组: 第4页/共14页 2022年5月10日星期二 6 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) m#=0.26,q=1.60218x10-19C,Vg=0, 第5页/共14页 2022年5月10日星期二 7 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) MESFET 网格 第6页/共14页 2022年5月10日星期二 8 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电势分布 第7页/共14页 2022年5月10日星期二 9 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电子密度分布 第8页/共14页 2022年5月10日星期二 10 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电子在直线AA’上的速度分布 第9页/共14页 2022年5月10日星期二 11 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电子速度(马赫数) 第10页/共14页 2022年5月10日星期二 12 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电子速度(x分量)(镓砷) 第11页/共14页 2022年5月10日星期二 13 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电流密度 第12页/共14页 2022年5月10日星期二 14 半导体器件建模与仿真 3. 仿真实例(MESFET) 电子密度 第13页/共14页

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