1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 生活休闲
  5. 充电交流

高性能All-GaN 为USB PD 3.1加速.pdfVIP

  • 30
  • 0
  • 约4.3千字
  • 约 16页
  • 2022-05-14 发布于浙江
  • 举报

高性能All-GaN 为USB PD 3.1加速.pdf

    全场景覆盖 更高的输出电压 ，更高的功率 ，更高的功率密度 150V GaN器件优势 BSC093N15NS5 INN150LA070A Ratio Vds(V) 150 150 Ron,typ(mΩ) 7.9 5.6 Vgs,typ(V) 10 5 Coss(pF) 604 357 Qg(nC) 33 7.6 Qrr(nC) 58 0 l Qrr=0 ，无反向恢复损耗 Ron*Qg 260 42 6X l Ron*Qg为Si MOS的1/6 Ro

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >