晶体结构缺陷.pptxVIP

会计学; §2-3-1　晶体结构缺陷 Structure Defects of Crystal;本章学习要点;　　晶体结构缺陷：实际的真实晶体中，在高于oK的任何温度下，都或多或少地存在着对理想晶体结构的偏离，即结构缺陷。结构缺陷的存在及运动规律，对固体材料的电学性质、机械强度、扩散、烧结、化学反应、非化学计量化合物的组成及材料的物理化学性质都密切相关。掌握晶体缺陷的基本知识是本课的重点内容之一。 　　晶体结构缺陷包括：点缺陷、线缺陷、面缺陷和复合缺陷。点缺陷在无机材料中是最基本的缺陷，是无机材料科学研究的重点，也是本课的教学重点。 ; 一般按照晶体缺陷在空间延伸的线度来进行分类：（l）点缺陷：原子尺度的缺陷，包括空位、填隙原子、溶质原子、色心等。（2）线缺陷：为晶体中的一维缺陷，又叫位错。（3）面缺陷：两维较大，一维为原子尺度。包括孪晶界面和位错界面等。（4）体缺陷，三维均较大，如包裹物、空洞、沉淀相、裂纹等。 ;体缺陷--祖母绿中的两相“逗号状”包裹体;面缺陷（小角晶界）;图２－５　面缺陷－共格晶面面心立方晶体中{111}面反映孪晶;线缺陷 　(a) 刃位错　(b)螺位错; 晶体中的点缺陷 　　;一、点缺陷(point defect) （一）、点缺陷的类型 　　1、根据其对理想晶格偏离的几何位置及成分来划分，可分为三种类型：空 位 填 隙 原 子 杂 质 原 子 ;(1)空 位:正常结点位置没有被质点占据，称为空位。 (2)填 隙 原 子:质点进入间隙位置成为填隙原子。 (3)杂子原子:杂子原子进入晶格占据节点位置或占据晶体的间隙位置。 ; 　　2、根据产生缺陷的原因，也可以把点缺陷分为下列三种类型： 热缺陷、杂质缺陷和非化学计量结构缺陷１）热缺陷 当晶体的温度高于绝对0 K时，由于晶格内原子热振动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成缺陷，这种缺陷称为热缺陷。 ;（a）弗仑克尔缺陷的形成（空位与间隙质点成对出现）;（b）单质中的肖特基缺陷的形成;2）、杂质缺陷； 　定义：由于外来原子进入晶体而产生的缺陷。　　　　　　　　　　　　　　　　 　 类型：杂质原子又可???为间隙杂质原子及置换杂质原子两种。 前者是杂质原子进入固有原子点 阵的间隙中；后者是杂质原子替代了固有原子。; 3）、非化学计量缺陷 定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体本身存在变价元素产生的一种电子缺陷，如Fe1－xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。 特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。 4）、 其它原因，如辐照缺陷等;5)、缺陷的作用 点缺陷使晶体结构局部畸变，缺陷产生局部应力场，破坏晶格的完整性。杂质缺陷使晶体结构局部畸变。空位使也会使晶格产生畸变。; 　3、缺陷表示方法 　　１）、缺陷化学 　　从理论上，缺陷的生成及复合存在着动态的平衡，定量地把材料中的点缺陷看作化学实物，并用化学热力学的原理来研究缺陷的产生、平衡及其浓度等问题的一门学科称为缺陷化学。 ;如“ . ”表示有效正电荷; “ ” 表示有效负电荷; “×”表示有效零电荷。 ;以MX离子晶体为例（ M2＋ ；X2－） ①空位： 用VM和Vx分别表示M原子空位和X原子空位，V表示缺陷种类为空位，下标M、X表示原子空位所在的位置。 必须注意，这种不带电的空位是表示原子空位。 ;把离子化合物看作完全由离子构成，则在MX晶体中，如果取走一个M2+ 晶格中多了两个e, 因此阳离子空位VM 必然和这两个e/相联系，形成带电的空位V”M ;如果取出一个X2－ ,即相当于取走一个X原子加一个2e，那么X空位上就留下带两个电子的空穴(h. )即v..x ;M阳离子填隙表示为Mi..;;; ⑤自由电子及电子空穴： 在有些情况下，有的电子并不一定属于某一个特定位置的原子，在某种光、电、热的作用下，可以在晶体中运动，这些电子用符号e表示。同样也可能在某些缺陷上缺少电子，这就是电子空穴，用h·表示。; ⑥带电缺陷：不同价离子之间的取代 如Ca2+取代NaCl中的Na+——CaNa Ca2+取代Zr4+——CaZr; ⑦ 缔合中心：在晶体中除了单个缺陷外，有可能出现邻近两个缺陷互相缔合，把发生 缔合的缺陷用小括号表示，也称复合缺陷。 在离子晶体中带相反电荷的点缺陷之间，存在一种有利于缔合的库仑引力。 如：在NaCl晶体中，;30 ;3）缺陷反应方程式书写规则： ①位置关系： 对