电力电子器件3.pptxVIP

会计学;2.5 门极可关断晶闸管（GTO）;门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 晶闸管的一种派生器件，在晶闸管问世后不久出现 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用;结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极 和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起;工作原理： 与普通晶闸管一样： 1）可以用下图所示的双晶体管模型来分析 2）?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断;GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： 1）设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断 2）导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大 3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流;导通过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅 关断过程： 强烈正反馈—门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流 当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 ;开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr;门极负脉冲电流波形对关断时间的影响：; GTO的许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 1）开通时间ton 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1-2?s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大; GTO的许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 2）关断时间toff 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般???于2?s;3）最大可关断阳极电流IATO : GTO的额定电流 4）电流关断增益?off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 （1-8） ;1、触发脉冲的要求;2、驱动电路;3、理想的门极电流波形;2.5.5 GTO的应用特点;2.6 电力晶体管（Giant Transitor）;2.6 电力晶体管（Giant Transistor）;术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效;??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 与普通的双极结型晶体管基本原理一样，但器件制造时的侧重点有所不同 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 目前常用GTR器件：单管、达林顿管、模块。;2.6.1 GTR的基本结构和工作原理;GTR的结构示意图（单管）;一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为;上次课内容回顾;上次课内容回顾;上次课内容回顾;上次课内容回顾;2.6.2 GTR的基本特性;共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区;共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区;在相同温度下，增益随Uce上升而增大（基区宽度调制效应） 温度对增益影响与电流有关，大电流的负温度特性，利于并联 Ic较小是，增益随Ic增大而增大（因基区复合电流占的比重越来越小），Ic较大时，情况相反（“柯克”效应）;(2)? 动态特性;(2)? 动态特性;前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff 此外还有： 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关 BUcbo BUcex BU