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PN结二极管的制备 主要内容： PN结二极管的制备 （0）准备 p-Si 1、制备单晶硅片 2、硅片表面的化学清洗 PN结二极管的制备 (1) 氧化 问题： 1、为什么要双面氧化？ 2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？ PN结二极管的制备 (2) 涂胶 问题： 1、涂胶过程 2、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？ 3、涂胶后，曝光前，对光刻胶加固的过程是什么工艺 PN结二极管的制备 Mask 1 黑色部分都是不透光的，中间的白色部分是做扩散的位置。 Mask的剖面图 PN结二极管的制备 （3）曝光 问题： 1、光刻的作用？ 2、图中使用的是正胶，如果用负胶如何修改工艺？ PN结二极管的制备 （4）显影 问题： 1、什么是显影工艺？ 2、显影液选择的注意事项。 PN结二极管的制备 （5）腐蚀 问题： 1、腐蚀分为哪两种形式，各有什么特点？ 2、选用腐蚀液要注意什么？ PN结二极管的制备 （6）去胶 1、通常用什么方法去胶？ 问题： PN结二极管的制备 （7）杂质扩散 1、硅片要经过适当的清洗后 2、应该扩散什么杂质 3、杂质扩散源有哪些 4、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理 5、这只是杂质的预淀积。 问题： PN结二极管的制备 (8)驱入 在未被氧化层保护的区域形成了n+-p结。 （n+中的