分析晶圆制造0introduction.pptxVIP

0.18um Process Flow Introduction;18LG adopt 26 Photo mask , if exclude ESD layer AA/Poly/CT/ M1~M5/ V1~V5 use DUV scanner (13 layer) “ DARC” Cap on Critical layer and Top M6 Poly M1~M5 adopt OPC (optical proximity correction) for line-end shorting island missing Composite Spacer (ONO) PSM method apply on CT layer Cobalt salicide process Low K IMD layer (FSG);Outline;WAFER START RS CHECK P type 8 ~ 12 ohm-cm, non-EPI wafer Start OX 350A dry ZERO Photo ZERO Fully dry etch (OX 350A + SI 1200+-200 A) ZERO Strip ;1.????? ZERO OXIDE 的作用是什么？ 第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止有机PR直接与Si接触，造成污染。 PR中所含的有机物很难清洗。 第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不 会对衬底造成损伤。 第三，是通过高温过程改变Si表面清洁度。 ? 2.????? ZERO PHOTO的目的是什么？WAFTER MARK是否用光照？ ZERO PHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose。WAFTER MARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号。 ? 3.????? STI　 PAD OXIDE 的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？ NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE 作为缓冲层，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LAYER。如果太薄，会托不住NITRIDE,对 衬底造成损伤，太厚的话在后序生长场氧时易形成鸟嘴。PAD OXIDE是用湿氧的方法生长的。 ? 4.????? STI　 NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？ NITRIDE是作为STI CMP的STOP LAYER。NITRIDE的厚度要精确控制， 一方面与PAD OXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CD control最好； 另一方面与BIRD’S BEAK的形成有关。如果NITRIDE太厚，BIRD’S BEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PAD OXIDE，可减小缺陷，但BIRD’S BEAK会增加。 ;SiON DEP(CVD) FE DARC320 (w/I scrubber ) ? AA Photo AA Etch SiN/Ox+Si etch ( 80 +-2degree) AA Asher Mattson ( Rcp: 1 ) Polymer Wet Strip NDH15APRRMSC1M ( 100:1 HF 30sec) AA THK STI-PO PAD (5400+-160 A) ;1.??在STI ETCH中SION的作用是什么？在整个0.18um SRAM FLOW 中SION厚度有几个？ STI ETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。在 整个0.18um SRAM FLOW 中SION的厚度有3个：320A,400A,600A。 ;STI PadOX PreCln NCR1DH75ARCAM (100:1 HF 180sec) STI Liner OX 1000 C,DRY OX(200+-12A) Anneal(Diff) 1100 C, 2 hrs (Furnace ann.) for STI etch damage recovery HDP Fill HDPCVD OX 5.8KA W/O AR s