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电子电路基础习题册参照答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1晶体二极管 一、 填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。 2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。 4、晶体二极管拥有单向导电性，即加正向电压时，二极管导 通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.1V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为0.7V,锗二极管的正向压降约为 0.3V。 5.锗二极管开启电压小，平时用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动向电阻越小， 其稳压性能好。 编写版word 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防备反向击穿电流超 过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平 面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、 稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电 压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动 态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时， A点的电位为10V、 流过电阻的电流是4mA；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA，流过V2的电流为0.25mA,输出电压U0为+5V。 编写版word 15、光电二极管的功能是将光脉冲信号变换为电信号，发 光二极管的功能是将 电信号变换为光信号。 16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡， 将黑表笔插入com 插孔，接二极管的负极；红表笔插入V,Ω插孔，接二极管的 正极，其显示的读数为二极管的正向压降。 一、判断题 1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （√） 2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（×） 3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√） 4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√） 5、硅稳压管的动向电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√） 编写版word 6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交 界处形成PN结。（√） 7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（×） 8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值 是相同的。（×） 9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击 穿。（） 10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（×） 11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√） 三、选择题 1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A．增大B.减小C.不变 2、测量小功率晶体二极管性能利害时，应把万用表欧姆档拨到 （A）。 A.R×100或R×1KB.R×1C.R× 10K 3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为 （B）。 A.P型半导体B.本征半导体C、N型半导体 4、稳压管的稳压性能是利用（B）实现的。 A．PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性 编写版word C．PN结的正向导通特性 5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V 它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（C） A.12VB.5.7VC.7.7VD.7V 6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是 （D）。 A.I1=8mA,I2=0B.I1=2mAC.I1=0,I2=6mA D.I1=0,I2=8mA 7、二极管的正向电阻（B）反向电阻。 A.大于B.小于C.等于D.不确定 8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为 （A）。 A.导通B.截止C.击穿 9、上题中，A、B两端的电压为（C）。 A.3VB.-3VC.6VD.-6V 10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压 为（C）。 A.280VB.140VC.70VD.40V 11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处