电子技术基础(6.5.2)--4.5小信号模型分析法.pdfVIP

《电子技术基础》 模拟部分（第六版） 4 场效应三极管及放大电路 4.1 金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.7 组合放大电路 2 Lec04 华中科技大学 张林 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET 的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路的分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 3 Lec04 华中科技大学 张林 4.4.1 MOSFET 的小信号模型 建立小信号模型的意义 由于场效应管是非线性器件，所以分析起来非常复 杂。建立小信号模型，就是在特定条件下将非线性器件 做线性化近似处理，从而简化由其构成的放大电路的分 析和设计。 建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号幅值较小时，就可以把三极 管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以 把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来 处理。 4 Lec04 华中科技大学 张林 4.4.1 MOSFET 的小信号模型 d 1. =0时 （以增强型NMOS管为例） id ＋ 在饱和区内有 g i K (v V )2 ＋ vds D n GS T v 2 gs K (V v V ) n GSQ gs T － s － K [(V V ) v ]2 n GSQ T gs FET双口网络 K (V V )2 2K (V V )v K v2 n GSQ T n GSQ T gs n gs I DQ g m vgs K v2 n gs 其中 非线性失 g 2K (V V ) 静态值 动态值 真项 m n GSQ TN （直流） （交流） 当，v 2 (V -V )时， iD IDQ g m vgs I DQ id gs GSQ TN 5 Lec04 华中科技大学 张林 4.4.1 MOSFET 的小信号模型