年产xxx套晶体硅生长设备项目立项报告.docx

泓域咨询/年产xxx套晶体硅生长设备项目立项报告 报告说明 晶体硅生长设备的研制涉及热力学、流体力学、半导体材料、电气、机械、计算机以及控制理论等多学科，是一项系统性工程，主要包括机械部件、电气硬件、控制软件、热场结构和晶体生长工艺的设计开发。尤其是在密闭、低压、高温的炉体内实现晶体硅生长所需苛刻环境参数的自动控制，需要对晶体硅生长条件及工艺技术有充分的理解，并拥有丰富的行业应用经验和工艺设计能力。因此，本行业存在较高的技术壁垒。 根据谨慎财务估算，项目总投资34834.85万元，其中：建设投资27277.61万元，占项目总投资的78.31%；建设期利息728.99万元，占项目总投资的2.0