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5—100A整流管芯片台面造型与电压击穿 0 引言 5—100A 整流管芯片的生产工艺经过多年的改进，已趋成熟，产品的 主要结构是含有一个整流 PN 结的镀镍硅片。硅片切割后与平面均形成了 垂直边缘面，使用化学腐蚀的工艺方法，将镀镍硅片垂直边缘面上的机械 受伤层和杂质去除，涂敷上绝缘保护胶即制成产品。 问题是，硅片的垂直边缘面，不利于产品的反向电压特性，使产品多 处于反向软击穿状态，严重影响着产品的可靠性与成品率。鉴此，本文对 化学腐蚀造型后的各种台面结构，根据电中性原理，试从其内部关于正负 电荷﹑电力线﹑电场强度和等势