IGBT产业园项目建议书范文.docx

泓域咨询/IGBT产业园项目建议书  IGBT产业园项目 建议书 xxx投资管理公司  报告说明 第三代半导体材料逐渐成为半导体技术升级的重点方向。第一代半导体材料以硅（Si）、锗（Ge）等为代表，第二代化合物材料以砷化镓（GaAs）等为代表，第三代宽禁带材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表。SiCMOSFETS优势突出，更适合高压领域。相对于Si基材料，SiCMOSFETS具有低导通损耗、低开关损耗、高开关频率、高功率密度等优点，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，适用于新能源车、风电光伏等高压领域，在800V高压平台的电动汽车可以充分体现快充、节能的优势。 根据谨